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【PNPスイッチングトランジスタ】MMBT4403LT1G
型番/Part Number: pnpスイッチングトランジスタ-mmbt4403lt1g
環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製のPNP型シリコン・バイポーラトランジスタ（BJT）です。コレクタ・エミッタ間耐圧40V、最大コレクタ電流600mAに対応し、スイッチング回路や信号増幅などの用途に使用できます。SOT-23の小型表面実装パッケージを採用しており、基板上の実装スペースを抑えたい回路にも適しています。
商品詳細
型番：MMBT4403LT1G
メーカー：onsemi
製品カテゴリー：トランジスタ
製品種類：バイポーラトランジスタ（BJT）
商品タイプ：PNPシリコン・スイッチングトランジスタ
トランジスタ構造：PNP
コレクタ・エミッタ間耐圧（VCEO）：40V
コレクタ・ベース間耐圧（VCBO）：40V
エミッタ・ベース間耐圧（VEBO）：5V
コレクタ電流（IC）：最大600mA
ピークコレクタ電流（ICM）：最大900mA
直流電流増幅率（hFE）：最小100（IC＝150mA、VCE＝2V）
遷移周波数（fT）：200MHz
最大消費電力：300mW
動作温度：-55～+150℃
パッケージ：SOT-23（TO-236）
端子数：3
実装方式：表面実装（SMD）
梱包：テープ＆リール
標準包装数量：3,000個／リール
RoHS：対応
主な用途：スイッチング回路、信号増幅、低電力制御回路、一般電子機器など
半導体
技術仕様・スペック
この製品について
onsemi製のPNP型シリコン・バイポーラトランジスタ（BJT）です。コレクタ・エミッタ間耐圧40V、最大コレクタ電流600mAに対応し、スイッチング回路や信号増幅などの用途に使用できます。SOT-23の小型表面実装パッケージを採用しており、基板上の実装スペースを抑えたい回路にも適しています。
商品詳細
- 型番：MMBT4403LT1G
- メーカー：onsemi
- 製品カテゴリー：トランジスタ
- 製品種類：バイポーラトランジスタ（BJT）
- 商品タイプ：PNPシリコン・スイッチングトランジスタ
- トランジスタ構造：PNP
- コレクタ・エミッタ間耐圧（VCEO）：40V
- コレクタ・ベース間耐圧（VCBO）：40V
- エミッタ・ベース間耐圧（VEBO）：5V
- コレクタ電流（IC）：最大600mA
- ピークコレクタ電流（ICM）：最大900mA
- 直流電流増幅率（hFE）：最小100（IC＝150mA、VCE＝2V）
- 遷移周波数（fT）：200MHz
- 最大消費電力：300mW
- 動作温度：-55～+150℃
- パッケージ：SOT-23（TO-236）
- 端子数：3
- 実装方式：表面実装（SMD）
- 梱包：テープ＆リール
- 標準包装数量：3,000個／リール
- RoHS：対応
- 主な用途：スイッチング回路、信号増幅、低電力制御回路、一般電子機器など