ルネサス（Renesas Electronics）
【PチャネルMOSFET】2SJ518AZ90TR-E
型番/Part Number: pチャネルmosfet-2sj518az90tr-e
環境規制 (RoHS) 適合品
Renesas Electronics製のPチャネルMOSFETです。小型・低損失のスイッチング用途に適した半導体デバイスで、電源制御、ロードスイッチ、バッテリー駆動機器などの回路に使用されます。
PチャネルMOSFETの特性を活かし、ハイサイドスイッチングや電源ラインのオン／オフ制御などに適しています。表面実装タイプのため、基板上の省スペース化が求められる電子機器にも使用できます。
商品詳細
型番：2SJ518AZ90TR-E
メーカー：Renesas Electronics
製品種類：PチャネルMOSFET
商品タイプ：小信号PチャネルMOSFET
製品カテゴリー：MOSFET
チャネル数：1チャネル
チャネル極性：Pチャネル
動作モード：エンハンスメントモード
ドレイン・ソース間電圧（VDS）：-60V
ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V
実装方式：SMD（表面実装）
パッケージ：要確認
主な用途：電源制御、ハイサイドスイッチ、ロードスイッチ、バッテリー機器、各種スイッチング回路
15+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
Renesas Electronics製のPチャネルMOSFETです。小型・低損失のスイッチング用途に適した半導体デバイスで、電源制御、ロードスイッチ、バッテリー駆動機器などの回路に使用されます。
PチャネルMOSFETの特性を活かし、ハイサイドスイッチングや電源ラインのオン／オフ制御などに適しています。表面実装タイプのため、基板上の省スペース化が求められる電子機器にも使用できます。
商品詳細
- 型番：2SJ518AZ90TR-E
- メーカー：Renesas Electronics
- 製品種類：PチャネルMOSFET
- 商品タイプ：小信号PチャネルMOSFET
- 製品カテゴリー：MOSFET
- チャネル数：1チャネル
- チャネル極性：Pチャネル
- 動作モード：エンハンスメントモード
- ドレイン・ソース間電圧（VDS）：-60V
- ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V
- 実装方式：SMD（表面実装）
- パッケージ：要確認
- 主な用途：電源制御、ハイサイドスイッチ、ロードスイッチ、バッテリー機器、各種スイッチング回路