【PチャネルパワーMOSFET】SI9435BDY-T1-E3

Vishay製のPチャネルパワーMOSFETです。 ドレイン・ソース間電圧30Vに対応した表面実装型のパワーMOSFETで、電源回路や負荷スイッチング回路の制御に使用されます。トレンチ構造のTrenchFET技術を採用し、低オン抵抗を実現しています。ゲート・ソース間電圧は最大±20Vに対応し、ゲート電圧によってドレイン電流を制御できます。 最大連続ドレイン電流は、周囲温度25℃の規定条件で4.1A（定常動作時）です。SO-8パッケージを採用しており、電源管理回路、バッテリー駆動機器、電子機器の電源ライン制御などに使用されます。 商品詳細 ・メーカー：Vishay・型番：SI9435BDY-T1-E3・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：パワーMOSFET・商品タイプ：Pチャネル・トレンチ型MOSFET・チャンネル極性：Pチャネル・ドレイン・ソース間電圧：-30V・ゲート・ソース間電圧：±20V・最大連続ドレイン電流：-4.1A（定常動作時、周囲温度25℃）・パルスドレイン電流：-30A・オン抵抗：42mΩ（最大値、VGS＝-10V、ID＝-5.7A）・ゲートしきい値電圧：-1.0～-3.0V・最大許容損失：1.3W（定常動作時、周囲温度25℃）・動作温度範囲：-55～+150℃（接合部温度）・パッケージ：SO-8・端子数：8ピン・実装方式：表面実装