【PチャネルMOSFET】CEM4435

Chino-Excel Technology製のPチャネルパワーMOSFETです。ドレイン・ソース間電圧は最大−30Vで、電源ラインやバッテリーのスイッチング制御などに使用されます。低オン抵抗を特長とし、ゲート・ソース間電圧−10V時には最大18mΩ、−4.5V時には最大24mΩのオン抵抗に対応しています。導通時の電力損失を抑え、効率的な電力制御を実現するためのディスクリート半導体部品です。 SO-8パッケージを採用した表面実装タイプで、基板スペースを抑えながら電源回路に組み込めます。連続ドレイン電流は、ケース温度25℃の条件で最大−9Aに対応しています。電源管理回路、負荷スイッチ、バッテリースイッチなど、PチャネルMOSFETによる高効率な電源制御が必要な回路に使用されます。 商品詳細 ・メーカー：Chino-Excel Technology・型番：CEM4435・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：パワーMOSFET・商品タイプ：PチャネルMOSFET・極性：Pチャネル・ドレイン・ソース間電圧：−30V・連続ドレイン電流：−9A（ケース温度25℃時）・連続ドレイン電流：−7.8A（VGS＝−4.5V時）・パルスドレイン電流：−30A・ゲート・ソース間電圧：±20V・オン抵抗：最大18mΩ（VGS＝−10V時）・オン抵抗：最大24mΩ（VGS＝−4.5V時）・総ゲート電荷量：標準13nC・最大許容損失：4.2W（ケース温度25℃時）・動作接合部温度範囲：−55℃～150℃・パッケージ：SO-8・ピン数：8・実装方式：表面実装