【Pチャネル・エンハンスメント型MOSFET】BSS84-7-F

Diodes Incorporated製のPチャネル・エンハンスメント型MOSFETです。ドレイン・ソース間耐圧50V、連続ドレイン電流130mAに対応する小信号MOSFETで、低オン抵抗と高速スイッチング特性を備えています。SOT-23の小型表面実装パッケージを採用しています。 汎用インターフェーススイッチ、電源管理、アナログスイッチなどの用途に適しており、低電力のスイッチング回路や信号制御回路に使用できます。 商品詳細 型番：BSS84-7-F メーカー：Diodes Incorporated 製品カテゴリー：トランジスタ 製品種類：MOSFET 商品タイプ：Pチャネル・エンハンスメント型MOSFET 用途分類：スイッチング・信号制御・電源管理 チャネル：Pチャネル 回路数：1回路 ドレイン・ソース間耐圧（VDS）：50V ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V 連続ドレイン電流（ID）：130mA 最大消費電力：300mW オン抵抗（RDS(on)）：最大10Ω（100mA、VGS=5V） ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：最大2V 入力容量（Ciss）：最大45pF 動作接合温度範囲：-55～+150℃ パッケージ：SOT-23 ピン数：3ピン 実装方式：SMD（表面実装） 車載規格：非車載向け（Commercial） RoHS：対応 包装：テープ＆リール 標準包装数量：3,000個 主な用途：汎用インターフェーススイッチ、アナログスイッチ、電源管理、信号切替、低電力スイッチング、各種電子機器