【PチャネルパワーMOSFET】NDS9430

onsemi製のPチャネルパワーMOSFETです。Fairchild SemiconductorのPowerTrench®技術を採用し、低オン抵抗と高速スイッチング性能を備えています。ドレイン・ソース間電圧は最大−30V、連続ドレイン電流は最大−5.3Aに対応しており、電源管理回路や負荷スイッチング回路などで使用されます。 ゲート駆動電圧−4.5Vでも低オン抵抗を実現しているため、比較的低い制御電圧で動作する電源回路にも適しています。また、ゲート電荷が小さく、高速なスイッチング動作が求められる用途にも対応します。SO-8パッケージを採用した表面実装タイプで、バッテリー保護回路、電源ライン制御、DC-DCコンバータなどに使用されるディスクリート半導体部品です。 商品詳細 ・メーカー：onsemi（旧Fairchild Semiconductor）・型番：NDS9430・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：パワーMOSFET・商品タイプ：PチャネルMOSFET・シリーズ：PowerTrench®・極性：Pチャネル・ドレイン・ソース間電圧：−30V・連続ドレイン電流：−5.3A（周囲温度25℃、規定条件下）・パルスドレイン電流：−20A・ゲート・ソース間電圧：±20V・オン抵抗：最大60mΩ（VGS＝−10V、ID＝−5.3A時）・オン抵抗：最大100mΩ（VGS＝−4.5V、ID＝−2A時）・ゲートしきい値電圧：−1V～−3V・総ゲート電荷量：最大14nC・最大許容損失：2.5W（周囲温度25℃、規定実装条件下）・動作接合部温度範囲：−55℃～175℃・パッケージ：SO-8・ピン数：8・実装方式：表面実装