ルネサス（Renesas Electronics）
【PチャネルパワーMOSFET】HAT1055RJ-EL-E
型番/Part Number: pチャネルパワーmosfet-hat1055rj-el-e
環境規制 (RoHS) 適合品
低オン抵抗と高効率スイッチング特性を備えたPチャネル型パワーMOSFETです。電源ラインのON/OFF制御や負荷スイッチ用途に適しており、モータ制御、電源回路、車載・産業機器など幅広い分野で使用されています。
高い電流駆動能力と低損失特性により、電源効率の改善と発熱低減に貢献します。SOP-8パッケージを採用し、実装性と放熱性のバランスにも優れています。
商品詳細
型番：HAT1055RJ-EL-E
メーカー：Renesas Electronics
製品カテゴリ：パワーMOSFET
極性：Pチャネル
用途：スイッチング / 電源制御 / 負荷スイッチ
耐圧（Vds）：60Vクラス
連続ドレイン電流：最大約5Aクラス
オン抵抗：低オン抵抗設計（約0.1Ωクラス）
パッケージ：SOP-8（表面実装）
実装方式：SMD
動作温度範囲：-55℃ ～ +150℃
特徴：低オン抵抗、高速スイッチング、高効率電源制御
用途例：DC-DCコンバータ、電源ライン制御、バッテリー駆動機器、モータ制御、車載電装
22+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
低オン抵抗と高効率スイッチング特性を備えたPチャネル型パワーMOSFETです。
電源ラインのON/OFF制御や負荷スイッチ用途に適しており、モータ制御、電源回路、車載・産業機器など幅広い分野で使用されています。
高い電流駆動能力と低損失特性により、電源効率の改善と発熱低減に貢献します。SOP-8パッケージを採用し、実装性と放熱性のバランスにも優れています。
商品詳細
- 型番：HAT1055RJ-EL-E
- メーカー：Renesas Electronics
- 製品カテゴリ：パワーMOSFET
- 極性：Pチャネル
- 用途：スイッチング / 電源制御 / 負荷スイッチ
- 耐圧（Vds）：60Vクラス
- 連続ドレイン電流：最大約5Aクラス
- オン抵抗：低オン抵抗設計（約0.1Ωクラス）
- パッケージ：SOP-8（表面実装）
- 実装方式：SMD
- 動作温度範囲：-55℃ ～ +150℃
- 特徴：低オン抵抗、高速スイッチング、高効率電源制御
- 用途例：DC-DCコンバータ、電源ライン制御、バッテリー駆動機器、モータ制御、車載電装