
onsemi
【PチャネルパワーMOSFET】FDC610PZ
型番/Part Number: FDC610PZ
環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製の30V・4.9A PチャネルPowerTrench MOSFETです。
低オン抵抗と低ゲートチャージを特長とするパワーMOSFETで、電源ラインのスイッチングや負荷スイッチングに適しています。VGS=-10V時のオン抵抗は最大42mΩ、VGS=-4.5V時でも最大75mΩと低く、効率を重視する電源回路に使用できます。
SuperSOT-6の小型パッケージを採用しており、バッテリー駆動機器、電源管理、バッテリー充電、DC/DCコンバータなど、基板上の実装スペースを抑えたい回路に適しています。
商品詳細
・メーカー:onsemi・部品番号:FDC610PZ・製品種類:パワーMOSFET・チャンネル:Pチャネル・シリーズ:PowerTrench・ドレイン・ソース間電圧:30V・連続ドレイン電流:4.9A(25℃)・パルスドレイン電流:20A・RDS(on):最大42mΩ(VGS=-10V、ID=-4.9A)・RDS(on):最大75mΩ(VGS=-4.5V、ID=-3.7A)・ゲート・ソース間電圧:±25V・ゲートしきい値電圧:1~3V・ゲートチャージ:17nC typ.(VGS=0~-10V)・入力容量:最大1005pF・最大消費電力:1.6W(25℃)・動作・保存温度:-55~+150℃・実装方式:表面実装・パッケージ:SuperSOT-6・パッケージ:SOT-23-6 Thin / TSOT-23-6・ピン数:6ピン・RoHS:対応・ハロゲンフリー:対応
半導体
技術仕様・スペック
この製品について
onsemi製の30V・4.9A PチャネルPowerTrench MOSFETです。
低オン抵抗と低ゲートチャージを特長とするパワーMOSFETで、電源ラインのスイッチングや負荷スイッチングに適しています。VGS=-10V時のオン抵抗は最大42mΩ、VGS=-4.5V時でも最大75mΩと低く、効率を重視する電源回路に使用できます。
SuperSOT-6の小型パッケージを採用しており、バッテリー駆動機器、電源管理、バッテリー充電、DC/DCコンバータなど、基板上の実装スペースを抑えたい回路に適しています。
商品詳細
・メーカー:onsemi
・部品番号:FDC610PZ
・製品種類:パワーMOSFET
・チャンネル:Pチャネル
・シリーズ:PowerTrench
・ドレイン・ソース間電圧:30V
・連続ドレイン電流:4.9A(25℃)
・パルスドレイン電流:20A
・RDS(on):最大42mΩ(VGS=-10V、ID=-4.9A)
・RDS(on):最大75mΩ(VGS=-4.5V、ID=-3.7A)
・ゲート・ソース間電圧:±25V
・ゲートしきい値電圧:1~3V
・ゲートチャージ:17nC typ.(VGS=0~-10V)
・入力容量:最大1005pF
・最大消費電力:1.6W(25℃)
・動作・保存温度:-55~+150℃
・実装方式:表面実装
・パッケージ:SuperSOT-6
・パッケージ:SOT-23-6 Thin / TSOT-23-6
・ピン数:6ピン
・RoHS:対応
・ハロゲンフリー:対応