【NPT型IGBT】FGP10N60UNDF

onsemi製の600V・20AクラスのNPT型IGBT（絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ）です。高耐圧・大電力スイッチングに対応するパワー半導体で、インバータ、モーター制御、電力変換装置など、比較的大きな電圧・電流を扱う回路に適しています。

NPT（Non-Punch-Through）構造を採用し、600Vのコレクタ・エミッタ間耐圧と、最大20A（ケース温度25℃時）のコレクタ電流に対応しています。また、短絡耐量10µsを備えており、電力変換回路で要求される保護性能にも配慮された設計です。

IGBTはMOSFETのような電圧駆動型のゲートと、バイポーラトランジスタのような低導通損失特性を組み合わせたパワースイッチングデバイスです。本製品は高電圧領域でのスイッチングに適しており、インバータやモーター駆動、各種電源装置などのスイッチング素子として使用できます。

商品詳細

• メーカー：onsemi
• 製品シリーズ：FGP10N60
• 製品カテゴリー：トランジスタ
• 製品種類：IGBT
• 商品タイプ：NPT型パワーIGBT
• 構成：シングル
• 技術：NPT（Non-Punch-Through）
• チャンネル：Nチャンネル
• コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：600V
• 最大コレクタ電流（IC）：20A（TC=25℃）
• コレクタ電流：10A（TC=100℃）
• パルスコレクタ電流（ICM）：30A
• ゲート・エミッタ間電圧（VGE）：±20V
• ゲートしきい値電圧（VGE(th)）：5.5～8.5V
• ゲートしきい値電圧（Typ.）：約6.8V
• コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：最大2.45V
• VCE(sat)（Typ.）：約2.0V
• 最大許容損失（PD）：139W（TC=25℃）
• 最大許容損失：56W（TC=100℃）
• 接合部温度範囲：-55～+150℃
• 保存温度範囲：-55～+150℃
• 短絡耐量：10µs
• 入力容量（Cies）：約517pF（Typ.）
• 出力容量（Coes）：約65pF（Typ.）
• 逆伝達容量（Cres）：約20pF（Typ.）
• 総ゲート電荷量（Qg）：約37nC（Typ.）
• ターンオン遅延時間：約8.0ns（Typ.）
• 立上り時間：約6.3ns（Typ.）
• ターンオフ遅延時間：約52.2ns（Typ.）
• 立下り時間：約19.1ns（Typ.）
• 内蔵ダイオード：あり
• ダイオード順方向電圧：約1.8V（Typ.）
• 逆回復時間：約37.7ns（Typ.）
• パッケージ：TO-220-3
• 端子数：3
• 実装方式：スルーホール
• 端子：Gate／Collector／Emitter
• RoHS：対応
• 主な用途：インバータ、モーター制御、電力変換、CNC機器、家庭用電気機器など