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【NPN汎用トランジスタ】MMBT2222LT1G(onsemi)

onsemi

【NPN汎用トランジスタ】MMBT2222LT1G

型番/Part Number: MMBT2222LT1G

環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製の30V・600mA NPN汎用トランジスタです。 2N2222系のシリコンNPNバイポーラトランジスタで、スイッチング回路や信号増幅、各種デジタル回路などに使用できます。コレクタ・エミッタ間電圧は最大30V、連続コレクタ電流は最大600mAに対応しています。 直流電流増幅率は100以上(IC=150mA、VCE=10V)で、遷移周波数は250MHzです。小信号用途から小電力負荷のスイッチングまで幅広く使用できる汎用性を備えています。 SOT-23の3端子表面実装パッケージを採用しており、基板上の実装面積を抑えたい電子機器に適しています。Pbフリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS対応品です。 商品詳細 ・メーカー:onsemi・型番:MMBT2222LT1G・製品カテゴリー:トランジスタ・製品種類:バイポーラトランジスタ(BJT)・商品タイプ:NPN汎用トランジスタ・極性:NPN・構成:シングル・コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO):30V・コレクタ・ベース間電圧(VCBO):60V・エミッタ・ベース間電圧(VEBO):5V・連続コレクタ電流(IC):600mA・ピークコレクタ電流(ICM):1.1A・直流電流増幅率(hFE):最小100(IC=150mA、VCE=10V)・遷移周波数(fT):250MHz・コレクタ・エミッタ間飽和電圧(VCE(sat)):最大1.6V(IC=500mA、IB=50mA)・許容損失(PD):最大300mW・動作温度範囲:−55~+150℃・パッケージ:SOT-23(TO-236)・端子数:3端子・実装方式:表面実装・RoHS:対応・環境対応:Pbフリー、ハロゲンフリー/BFRフリー
16+半導体

技術仕様・スペック

メーカー / ブランド onsemi
製品カテゴリ NPN汎用トランジスタ
梱包仕様 リール / トレイ (見積依頼時に指定可能)
環境規制 (RoHS) 適合品 (Compliant)

この製品について

onsemi製の30V・600mA NPN汎用トランジスタです。

2N2222系のシリコンNPNバイポーラトランジスタで、スイッチング回路や信号増幅、各種デジタル回路などに使用できます。コレクタ・エミッタ間電圧は最大30V、連続コレクタ電流は最大600mAに対応しています。

直流電流増幅率は100以上(IC=150mA、VCE=10V)で、遷移周波数は250MHzです。小信号用途から小電力負荷のスイッチングまで幅広く使用できる汎用性を備えています。

SOT-23の3端子表面実装パッケージを採用しており、基板上の実装面積を抑えたい電子機器に適しています。Pbフリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS対応品です。


商品詳細

・メーカー:onsemi
・型番:MMBT2222LT1G
・製品カテゴリー:トランジスタ
・製品種類:バイポーラトランジスタ(BJT)
・商品タイプ:NPN汎用トランジスタ
・極性:NPN
・構成:シングル
・コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO):30V
・コレクタ・ベース間電圧(VCBO):60V
・エミッタ・ベース間電圧(VEBO):5V
・連続コレクタ電流(IC):600mA
・ピークコレクタ電流(ICM):1.1A
・直流電流増幅率(hFE):最小100(IC=150mA、VCE=10V)
・遷移周波数(fT):250MHz
・コレクタ・エミッタ間飽和電圧(VCE(sat)):最大1.6V(IC=500mA、IB=50mA)
・許容損失(PD):最大300mW
・動作温度範囲:−55~+150℃
・パッケージ:SOT-23(TO-236)
・端子数:3端子
・実装方式:表面実装
・RoHS:対応
・環境対応:Pbフリー、ハロゲンフリー/BFRフリー