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【NPN型シリコントランジスタ】2SC3928A-T112-1Q(イサハヤ電子株式会社)

イサハヤ電子株式会社

【NPN型シリコントランジスタ】2SC3928A-T112-1Q

型番/Part Number: 2SC3928A-T112-1Q

環境規制 (RoHS) 適合品
イサハヤ電子株式会社製の低周波電圧増幅用NPN型シリコントランジスタです。 小型機器やハイブリッドICなどの低周波信号増幅回路向けに設計された小信号トランジスタです。NPN型エピタキシャル構造を採用し、直流電流増幅率の良好な直線性と、低いコレクタ・エミッタ間飽和電圧を特徴としています。 コレクタ・エミッタ間電圧は最大50V、コレクタ電流は最大200mAに対応しています。小型の表面実装パッケージを採用しているため、基板スペースの限られた電子機器や高密度実装が求められる回路に適しています。 また、ISA1530AC1とコンプリメンタリ特性を持ち、低周波の電圧増幅回路などで使用できます。 商品詳細 ・メーカー:イサハヤ電子株式会社(ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION)・型番:2SC3928A-T112-1Q・基本型番:2SC3928A・製品カテゴリー:トランジスタ・部品の種類:バイポーラトランジスタ(BJT)・商品タイプ:NPN型シリコン小信号トランジスタ・構造:シリコンNPNエピタキシャル型・主な用途:低周波電圧増幅・コレクタ・ベース間電圧(VCBO):50V・コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO):50V・エミッタ・ベース間電圧(VEBO):6V・コレクタ電流(IC):200mA(最大定格)・コレクタ損失(PC):200mW(Ta=25℃)・直流電流増幅率(hFE):120~560(分類による)・コレクタ・エミッタ間飽和電圧:最大0.3V(IC=100mA、IB=10mA)・利得帯域幅積(fT):200MHz(標準値)・コレクタ出力容量(Cob):4.0pF(標準値)・接合部温度(Tj):最大150℃・保存温度範囲:-55~+150℃・パッケージ:SC-59・端子数:3ピン・実装方式:表面実装(SMD/SMT)・RoHS:販売ロットの適合資料で確認
12+半導体

技術仕様・スペック

メーカー / ブランド イサハヤ電子株式会社
製品カテゴリ NPN型シリコントランジスタ
梱包仕様 リール / トレイ (見積依頼時に指定可能)
環境規制 (RoHS) 適合品 (Compliant)

この製品について

イサハヤ電子株式会社製の低周波電圧増幅用NPN型シリコントランジスタです。

小型機器やハイブリッドICなどの低周波信号増幅回路向けに設計された小信号トランジスタです。NPN型エピタキシャル構造を採用し、直流電流増幅率の良好な直線性と、低いコレクタ・エミッタ間飽和電圧を特徴としています。

コレクタ・エミッタ間電圧は最大50V、コレクタ電流は最大200mAに対応しています。小型の表面実装パッケージを採用しているため、基板スペースの限られた電子機器や高密度実装が求められる回路に適しています。

また、ISA1530AC1とコンプリメンタリ特性を持ち、低周波の電圧増幅回路などで使用できます。


商品詳細

・メーカー:イサハヤ電子株式会社(ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION)
・型番:2SC3928A-T112-1Q
・基本型番:2SC3928A
・製品カテゴリー:トランジスタ
・部品の種類:バイポーラトランジスタ(BJT)
・商品タイプ:NPN型シリコン小信号トランジスタ
・構造:シリコンNPNエピタキシャル型
・主な用途:低周波電圧増幅
・コレクタ・ベース間電圧(VCBO):50V
・コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO):50V
・エミッタ・ベース間電圧(VEBO):6V
・コレクタ電流(IC):200mA(最大定格)
・コレクタ損失(PC):200mW(Ta=25℃)
・直流電流増幅率(hFE):120~560(分類による)
・コレクタ・エミッタ間飽和電圧:最大0.3V(IC=100mA、IB=10mA)
・利得帯域幅積(fT):200MHz(標準値)
・コレクタ出力容量(Cob):4.0pF(標準値)
・接合部温度(Tj):最大150℃
・保存温度範囲:-55~+150℃
・パッケージ:SC-59
・端子数:3ピン
・実装方式:表面実装(SMD/SMT)
・RoHS:販売ロットの適合資料で確認