
ROHM Semiconductor
【NPNデジタルトランジスタ】DTC123JMT2L
型番/Part Number: DTC123JMT2L
環境規制 (RoHS) 適合品
ROHM製のNPNデジタルトランジスタ(バイアス抵抗内蔵トランジスタ)です。入力側のバイアス抵抗を内蔵しているため、外付け抵抗を追加せずにインバータ回路などを構成できます。スイッチング用途に適した構成で、入力電圧によるオン・オフ制御を容易に行えるのが特長です。小型のSOT-723パッケージを採用しており、省スペースが求められる回路に適しています。
商品詳細
メーカー:ROHM Semiconductor(ローム)
製品種類:デジタルトランジスタ
トランジスタタイプ:NPN
内蔵抵抗:R1=2.2kΩ、R2=47kΩ
コレクタ・エミッタ間電圧:50V
コレクタ電流:100mA
直流電流増幅率 hFE:80以上
消費電力:0.15W
端子数:3端子
パッケージ:VMT3
パッケージコード:SOT-723
JEITAパッケージ:SC-105AA
パッケージサイズ:約1.2×1.2mm、厚さ約0.55mm
実装方式:表面実装
動作・保存温度範囲:-55~+150℃
RoHS:対応
特長:バイアス抵抗内蔵
主な用途:インバータ回路、スイッチング回路、デジタル信号制御など
コンプリメンタリ品:DTA123Jシリーズ(PNP)
半導体
技術仕様・スペック
この製品について
ROHM製のNPNデジタルトランジスタ(バイアス抵抗内蔵トランジスタ)です。入力側のバイアス抵抗を内蔵しているため、外付け抵抗を追加せずにインバータ回路などを構成できます。スイッチング用途に適した構成で、入力電圧によるオン・オフ制御を容易に行えるのが特長です。小型のSOT-723パッケージを採用しており、省スペースが求められる回路に適しています。
商品詳細
- メーカー:ROHM Semiconductor(ローム)
- 製品種類:デジタルトランジスタ
- トランジスタタイプ:NPN
- 内蔵抵抗:R1=2.2kΩ、R2=47kΩ
- コレクタ・エミッタ間電圧:50V
- コレクタ電流:100mA
- 直流電流増幅率 hFE:80以上
- 消費電力:0.15W
- 端子数:3端子
- パッケージ:VMT3
- パッケージコード:SOT-723
- JEITAパッケージ:SC-105AA
- パッケージサイズ:約1.2×1.2mm、厚さ約0.55mm
- 実装方式:表面実装
- 動作・保存温度範囲:-55~+150℃
- RoHS:対応
- 特長:バイアス抵抗内蔵
- 主な用途:インバータ回路、スイッチング回路、デジタル信号制御など
- コンプリメンタリ品:DTA123Jシリーズ(PNP)