Nexperia
【NチャネルMOSFET】PMZ290UNE2
型番/Part Number: PMZ290UNE2
環境規制 (RoHS) 適合品
Nexperia製の20V Nチャネル・トレンチMOSFETです。低しきい値電圧と高速スイッチング特性を備えた小信号MOSFETで、低電圧でのスイッチング用途に適しています。最大1.2Aのドレイン電流に対応し、4.5Vゲート駆動時のオン抵抗は最大0.27Ωです。リレー駆動やハイサイド／ローサイドのスイッチング、ラインドライバなど、限られた基板スペースでスイッチング機能を実現したい回路に使用できます。1.0×0.6mmの超小型DFN1006-3パッケージを採用し、2kV HBMのESD保護にも対応しています。
商品詳細
メーカー：Nexperia
製品カテゴリー：パワーMOSFET／小信号MOSFET
製品種類：NチャネルMOSFET
商品タイプ：Nチャネル・トレンチMOSFET
技術：Trench MOSFET
ドレイン・ソース間電圧（VDS）：20V
連続ドレイン電流（ID）：最大1.2A（VGS=4.5V、Ta=25℃）
連続ドレイン電流（ID）：最大0.8A（VGS=4.5V、Ta=100℃）
パルスドレイン電流（IDM）：最大4A（パルス幅10μs以下）
オン抵抗（RDS(on)）：最大0.27Ω（VGS=4.5V）
ゲート・ソース間電圧（VGS）：±8V
ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：最大0.7V
総消費電力：最大350mW（標準基板、Ta=25℃）
ジャンクション温度：-55～+150℃
ESD耐性：2kV HBM
構成：シングル
取り付け方式：表面実装
パッケージ：DFN1006-3（SOT883）
パッケージ寸法：約1.0×0.6×0.48mm
ピン数：3ピン
用途：リレー駆動、ハイスピードラインドライバ、ローサイドロードスイッチ、各種スイッチング回路
RoHS：対応
17+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
Nexperia製の20V Nチャネル・トレンチMOSFETです。低しきい値電圧と高速スイッチング特性を備えた小信号MOSFETで、低電圧でのスイッチング用途に適しています。最大1.2Aのドレイン電流に対応し、4.5Vゲート駆動時のオン抵抗は最大0.27Ωです。リレー駆動やハイサイド／ローサイドのスイッチング、ラインドライバなど、限られた基板スペースでスイッチング機能を実現したい回路に使用できます。1.0×0.6mmの超小型DFN1006-3パッケージを採用し、2kV HBMのESD保護にも対応しています。
商品詳細
- メーカー：Nexperia
- 製品カテゴリー：パワーMOSFET／小信号MOSFET
- 製品種類：NチャネルMOSFET
- 商品タイプ：Nチャネル・トレンチMOSFET
- 技術：Trench MOSFET
- ドレイン・ソース間電圧（VDS）：20V
- 連続ドレイン電流（ID）：最大1.2A（VGS=4.5V、Ta=25℃）
- 連続ドレイン電流（ID）：最大0.8A（VGS=4.5V、Ta=100℃）
- パルスドレイン電流（IDM）：最大4A（パルス幅10μs以下）
- オン抵抗（RDS(on)）：最大0.27Ω（VGS=4.5V）
- ゲート・ソース間電圧（VGS）：±8V
- ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：最大0.7V
- 総消費電力：最大350mW（標準基板、Ta=25℃）
- ジャンクション温度：-55～+150℃
- ESD耐性：2kV HBM
- 構成：シングル
- 取り付け方式：表面実装
- パッケージ：DFN1006-3（SOT883）
- パッケージ寸法：約1.0×0.6×0.48mm
- ピン数：3ピン
- 用途：リレー駆動、ハイスピードラインドライバ、ローサイドロードスイッチ、各種スイッチング回路
- RoHS：対応