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【NチャネルMOSFET】NTEFD4MS35NTCG
型番/Part Number: nチャネルmosfet-ntefd4ms35ntcg
環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製のNチャネルパワーMOSFETです。40Vのドレイン・ソース間電圧(VDS)に対応し、低オン抵抗と高速スイッチング特性を備えているため、高効率な電力制御を実現します。DC-DCコンバータ、同期整流回路、モータ制御、バッテリー保護回路、各種電源回路など、高電流アプリケーションに最適です。
PowerTrench®技術を採用し、導通損失およびスイッチング損失を低減。コンパクトなDFN 5mm×6mmパッケージにより、省スペース設計や高密度実装にも対応します。産業機器、通信機器、電源装置など、高い効率と信頼性が求められる用途に適した表面実装型パワーMOSFETです。
商品詳細
メーカー:onsemi
型番:NTEFD4MS35NTCG
製品カテゴリ:NチャネルMOSFET
MOSFETタイプ:Nチャネル エンハンスメントモード
ドレイン・ソース間電圧(VDS):40V
連続ドレイン電流(ID):最大110A
ゲート・ソース間電圧(VGS):±20V
オン抵抗(RDS(on)):標準3.5mΩ
パッケージ:DFN 5mm × 6mm(Power56)
実装方式:表面実装(SMD)
動作温度範囲:-55℃~+150℃
RoHS対応
主な用途:DC-DCコンバータ、同期整流回路、電源管理回路、モータ制御、バッテリー保護回路、産業機器、通信機器
21+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
onsemi製のNチャネルパワーMOSFETです。40Vのドレイン・ソース間電圧(VDS)に対応し、低オン抵抗と高速スイッチング特性を備えているため、高効率な電力制御を実現します。DC-DCコンバータ、同期整流回路、モータ制御、バッテリー保護回路、各種電源回路など、高電流アプリケーションに最適です。
PowerTrench®技術を採用し、導通損失およびスイッチング損失を低減。コンパクトなDFN 5mm×6mmパッケージにより、省スペース設計や高密度実装にも対応します。産業機器、通信機器、電源装置など、高い効率と信頼性が求められる用途に適した表面実装型パワーMOSFETです。
商品詳細
- メーカー:onsemi
- 型番:NTEFD4MS35NTCG
- 製品カテゴリ:NチャネルMOSFET
- MOSFETタイプ:Nチャネル エンハンスメントモード
- ドレイン・ソース間電圧(VDS):40V
- 連続ドレイン電流(ID):最大110A
- ゲート・ソース間電圧(VGS):±20V
- オン抵抗(RDS(on)):標準3.5mΩ
- パッケージ:DFN 5mm × 6mm(Power56)
- 実装方式:表面実装(SMD)
- 動作温度範囲:-55℃~+150℃
- RoHS対応
- 主な用途:DC-DCコンバータ、同期整流回路、電源管理回路、モータ制御、バッテリー保護回路、産業機器、通信機器