【NチャネルMOSFET】BSZ097N04LSG

Infineon Technologies製の40V Nチャネル・ロジックレベルパワーMOSFETです。OptiMOS™ 3シリーズに属し、低いオン抵抗と小さいゲート電荷を特長とした高速スイッチング向けのデバイスです。4.5Vのゲート駆動でも低オン抵抗を実現でき、低電圧で駆動する電源回路にも適しています。同期整流を用いるスイッチング電源やDC-DCコンバータ、モーター制御、電源アダプターなどの用途に使用できます。小型のPQFN 3×3クラスの面実装パッケージを採用し、高い電力密度が求められる回路に適した構成です。 商品詳細 メーカー：Infineon Technologies シリーズ：OptiMOS™ 3 製品カテゴリー：パワーMOSFET 製品種類：NチャネルMOSFET 商品タイプ：ロジックレベル・パワーMOSFET ドレイン・ソース間電圧（VDS）：40V 連続ドレイン電流：47A（TC=25℃、データシート条件） パルスドレイン電流：188A オン抵抗（RDS(on)）：最大9.7mΩ（VGS=10V） オン抵抗（RDS(on)）：最大14.2mΩ（VGS=4.5V） ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V ゲートしきい値電圧：1.2～2.0V ゲート電荷（Qg）：8.6nC typ.（VGS=4.5V） ゲート電荷（Qg）：18nC typ.（VGS=10V） 入力容量（Ciss）：1400pF 出力容量（Coss）：340pF 最大消費電力：35W 接合部－ケース熱抵抗：3.6K/W 動作温度範囲：-55～+150℃ 構成：シングル 取り付け方式：表面実装 パッケージ：PG-TSDSON-8／PQFN 3×3 RoHS：対応 特長：ロジックレベル、低オン抵抗、高速スイッチング対応...