
Infineon Technologies
【NチャネルMOSFET】BSS138N L6327
型番/Part Number: BSS138N L6327
環境規制 (RoHS) 適合品技術仕様・スペック
この製品について
Infineon Technologies製のNチャネル小信号MOSFETです。
最大60Vのドレイン・ソース間電圧に対応し、電子回路におけるスイッチング制御や信号処理用のスイッチ素子として使用されます。エンハンスメント型の構造を採用し、ロジックレベル駆動に対応しているため、制御信号による電流のオン・オフ制御に適しています。連続ドレイン電流は周囲温度25℃で最大230mA、オン抵抗はゲート・ソース間電圧10V時に最大3.5Ωです。
小信号用途向けのコンパクトなSOT-23パッケージを採用しており、基板上の実装スペースを抑えられます。また、アバランシェ定格およびdv/dt耐性を備え、各種電子機器の信号スイッチング回路、制御回路、低電流負荷の駆動回路などに使用されるディスクリート半導体部品です。
商品詳細
・メーカー:Infineon Technologies
・型番:BSS138N L6327
・製品カテゴリー:半導体・ディスクリート部品
・製品種類:MOSFET
・商品タイプ:Nチャネル小信号MOSFET
・チャンネル数:1
・極性:Nチャネル
・動作モード:エンハンスメント型
・ドレイン・ソース間電圧:60V
・連続ドレイン電流:230mA(周囲温度25℃)
・パルスドレイン電流:920mA
・オン抵抗:最大3.5Ω(VGS=10V時)
・ゲート・ソース間電圧:±20V
・ゲートしきい値電圧:0.6~1.4V
・最大消費電力:360mW
・動作温度範囲:-55~+150℃
・パッケージ形式:SOT-23
・端子数:3ピン
・実装方式:表面実装