{"product_id":"nチャネル小信号mosfet-2n7002lt1g","title":"【Nチャネル小信号MOSFET】2N7002LT1G","description":"\u003cp class=\"isSelectedEnd\"\u003e\u003cspan\u003eonsemi製のNチャネル小信号MOSFETです。\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e\u003cspan\u003e最大ドレイン・ソース間電圧60V、連続ドレイン電流115mAに対応し、低電力のスイッチングや信号制御用途に適したデバイスです。\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e\u003cspan\u003eゲートしきい値電圧は最大2.5Vで、5Vおよび10Vのゲート駆動条件におけるオン抵抗が規定されています。\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e\u003cspan\u003e小型のSOT-23パッケージを採用しているため、基板上の実装面積を抑えながらMOSFETによるスイッチング機能を構成できます。\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e\u003cspan\u003eデジタル回路の信号スイッチ、負荷制御、レベル変換、各種小電力スイッチング回路などに使用される汎用的なMOSFETです。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cdiv\u003e\u003chr\u003e\u003c\/div\u003e\n\u003ch2\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003e商品詳細\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003eメーカー：onsemi\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e製品タイプ：NチャネルMOSFET\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e用途：小信号スイッチング、負荷制御\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e構造：MOSFET（Metal Oxide Semiconductor FET）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003eチャネル数：1チャネル\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003eドレイン・ソース間耐圧（VDSS）：60V\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e連続ドレイン電流（ID）：115mA（TC＝25℃）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e連続ドレイン電流（ID）：75mA（TC＝100℃）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003eパルスドレイン電流（IDM）：800mA\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003eゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e非反復ゲート・ソース間電圧：±40V（tp≤50µs）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003eゲートしきい値電圧（VGS(th)）：最大2.5V（ID＝250µA）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003eドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：最大7.5Ω（ID＝500mA、VGS＝10V）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e入力容量（Ciss）：最大50pF（VDS＝25V）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e最大許容損失：225mW（TA＝25℃、FR-5基板）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e最大許容損失：300mW（TA＝25℃、アルミナ基板）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e動作・保存温度範囲：−55～＋150℃\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e実装方式：表面実装（SMD）\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003eパッケージ：SOT-23\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003eパッケージコード：TO-236 \/ Case 318\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e端子数：3ピン\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e環境対応：Pb-Free、RoHS対応\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\u003cspan\u003e用途例：小電力スイッチ、デジタル信号制御、負荷スイッチング、汎用スイッチング回路\u003c\/span\u003e\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"onsemi","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51840886604054,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0982\/7480\/3990\/files\/2026-09-08142130.png?v=1788844900","url":"https:\/\/celluxpro.com\/products\/n%e3%83%81%e3%83%a3%e3%83%8d%e3%83%ab%e5%b0%8f%e4%bf%a1%e5%8f%b7mosfet-2n7002lt1g","provider":"Cellux®︎Pro","version":"1.0","type":"link"}