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【NチャネルパワーMOSFET】SIHL540S-GE3(Vishay Siliconix)

Vishay Siliconix

【NチャネルパワーMOSFET】SIHL540S-GE3

型番/Part Number: SIHL540S-GE3

環境規制 (RoHS) 適合品
Vishay製のNチャネル型パワーMOSFETです。ドレイン・ソース間電圧100Vに対応し、電源回路や負荷スイッチング回路、モーター制御回路などの電力制御用途に使用されます。MOSFETのスイッチング動作を利用して電流のオン・オフを制御し、各種電子機器の電力変換や負荷駆動を支えます。 D²PAK(TO-263)表面実装パッケージを採用しており、基板への実装に対応しています。電源管理回路や産業機器、電子制御装置など、電力を扱うさまざまな回路で使用されるディスクリート半導体です。Nチャネル構造により、ゲート電圧によるドレイン電流の制御が可能です。 商品詳細 ・メーカー:Vishay・型番:SIHL540S-GE3・製品カテゴリー:トランジスタ・製品種類:パワーMOSFET・商品タイプ:NチャネルMOSFET・構成:シングル・ドレイン・ソース間電圧:100V・連続ドレイン電流:28A(ケース温度25℃)・連続ドレイン電流:20A(ケース温度100℃)・パルスドレイン電流:110A・ゲート・ソース間電圧:±10V・ゲートしきい値電圧:最大4V・オン抵抗:77mΩ(VGS=5V、代表値)・最大許容損失:150W(ケース温度25℃)・動作接合温度範囲:−55~+175℃・実装方式:表面実装・パッケージ:D²PAK・パッケージ規格:TO-263・端子数:3・鉛フリー対応

技術仕様・スペック

メーカー / ブランド Vishay Siliconix
製品カテゴリ NチャネルパワーMOSFET
梱包仕様 リール / トレイ (見積依頼時に指定可能)
環境規制 (RoHS) 適合品 (Compliant)

この製品について

Vishay製のNチャネル型パワーMOSFETです。ドレイン・ソース間電圧100Vに対応し、電源回路や負荷スイッチング回路、モーター制御回路などの電力制御用途に使用されます。MOSFETのスイッチング動作を利用して電流のオン・オフを制御し、各種電子機器の電力変換や負荷駆動を支えます。

D²PAK(TO-263)表面実装パッケージを採用しており、基板への実装に対応しています。電源管理回路や産業機器、電子制御装置など、電力を扱うさまざまな回路で使用されるディスクリート半導体です。Nチャネル構造により、ゲート電圧によるドレイン電流の制御が可能です。


商品詳細

・メーカー:Vishay
・型番:SIHL540S-GE3
・製品カテゴリー:トランジスタ
・製品種類:パワーMOSFET
・商品タイプ:NチャネルMOSFET
・構成:シングル
・ドレイン・ソース間電圧:100V
・連続ドレイン電流:28A(ケース温度25℃)
・連続ドレイン電流:20A(ケース温度100℃)
・パルスドレイン電流:110A
・ゲート・ソース間電圧:±10V
・ゲートしきい値電圧:最大4V
・オン抵抗:77mΩ(VGS=5V、代表値)
・最大許容損失:150W(ケース温度25℃)
・動作接合温度範囲:−55~+175℃
・実装方式:表面実装
・パッケージ:D²PAK
・パッケージ規格:TO-263
・端子数:3
・鉛フリー対応