onsemi
【NチャネルパワーMOSFET】NTMFS4C08NT1G
型番/Part Number: nチャネルパワーmosfet-ntmfs4c08nt1g
環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製のNチャネルパワーMOSFETです。低オン抵抗（RDS(on)）と高電流性能を特徴とし、スイッチング損失を抑えた高効率な電力制御を実現します。
30V耐圧設計により、CPU電源、DC-DCコンバータ、バッテリー駆動機器、産業用電源回路など幅広い用途に対応します。小型DFNパッケージを採用し、高密度実装および放熱性の両立が可能です。
■ 商品詳細
型番：NTMFS4C08NT1G
メーカー：onsemi（ON Semiconductor）
製品カテゴリ：パワーMOSFET
分類：半導体
タイプ：NチャネルMOSFET
ドレイン・ソース間電圧（Vds）：30V
連続ドレイン電流：最大52A（条件依存）
RDS(on)：約5.8mΩ（代表値）
ゲート電圧：±20V（最大）
パッケージ：5x6 DFN / SO-8FL系
実装方式：表面実装（SMD）
用途：DC-DCコンバータ、電源スイッチング、CPU/GPU電源、バッテリー保護回路
動作温度範囲：-55℃ ～ +150℃
特徴：低損失・高効率・高電流対応・小型パッケージ
RoHS対応
16+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
onsemi製のNチャネルパワーMOSFETです。低オン抵抗（RDS(on)）と高電流性能を特徴とし、スイッチング損失を抑えた高効率な電力制御を実現します。
30V耐圧設計により、CPU電源、DC-DCコンバータ、バッテリー駆動機器、産業用電源回路など幅広い用途に対応します。小型DFNパッケージを採用し、高密度実装および放熱性の両立が可能です。
■ 商品詳細
- 型番：NTMFS4C08NT1G
- メーカー：onsemi（ON Semiconductor）
- 製品カテゴリ：パワーMOSFET
- 分類：半導体
- タイプ：NチャネルMOSFET
- ドレイン・ソース間電圧（Vds）：30V
- 連続ドレイン電流：最大52A（条件依存）
- RDS(on)：約5.8mΩ（代表値）
- ゲート電圧：±20V（最大）
- パッケージ：5x6 DFN / SO-8FL系
- 実装方式：表面実装（SMD）
- 用途：DC-DCコンバータ、電源スイッチング、CPU/GPU電源、バッテリー保護回路
- 動作温度範囲：-55℃ ～ +150℃
- 特徴：低損失・高効率・高電流対応・小型パッケージ
- RoHS対応