【NチャネルパワーMOSFET】IPD26N06S2L-35

Infineon Technologies製の車載用NチャネルパワーMOSFETです。OptiMOS™技術を採用し、最大55Vのドレイン・ソース間電圧と、最大30Aの連続ドレイン電流に対応しています。オン抵抗はゲート・ソース間電圧10Vの条件で最大35mΩと低く、電力スイッチング時の導通損失を抑えられる設計です。 ロジックレベル駆動に対応し、ゲート駆動回路の設計に柔軟性を持たせることができます。また、アバランシェ耐量を考慮した設計で、AEC-Q101車載用認定を取得しています。DPAKパッケージを採用した表面実装タイプで、車載ボディエレクトロニクス、モータードライブ、電源制御回路などの電力スイッチング用途に使用されます。 商品詳細 ・メーカー：Infineon Technologies・型番：IPD26N06S2L-35・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：パワーMOSFET・商品タイプ：車載用NチャネルMOSFET・シリーズ：OptiMOS™・チャンネル構成：シングルNチャネル・ドレイン・ソース間電圧：55V・連続ドレイン電流：最大30A（ケース温度25℃）・パルスドレイン電流：最大120A・ドレイン・ソース間オン抵抗：最大35mΩ（VGS＝10V、ID＝13A）・ゲートしきい値電圧：1.2～2.0V・ゲート・ソース間電圧：最大±20V・総ゲート電荷：代表値10nC、最大24nC（VGS＝10V）・最大許容損失：68W（ケース温度25℃）・動作温度範囲：-55～+175℃・車載規格：AEC-Q101認定・パッケージ形式：DPAK（PG-TO252-3）・端子数：3端子・実装方式：表面実装・RoHS対応：対応