【NチャネルパワーMOSFET】IPB80N04S2-H4

Infineon Technologies製の車載対応NチャネルパワーMOSFETです。OptiMOS技術を採用した電力制御用半導体で、電源回路やモーター制御回路などにおいて、大電流のスイッチング制御を行う用途に使用されます。ドレイン・ソース間のオン抵抗を低く抑えた設計により、導通時の電力損失を低減し、効率的な電力制御に対応します。 ドレイン・ソース間耐圧は40V、連続ドレイン電流は規定条件下で最大80Aです。ゲート電圧によって電流の導通状態を制御する構造で、電源管理、バッテリー関連回路、自動車用電子制御機器などに使用されます。AEC-Q101に準拠した車載向け製品で、最大接合温度175℃に対応しています。TO-263（D2PAK）パッケージを採用した表面実装型で、基板上での放熱を考慮した電力回路の構成に適したパワー半導体です。 商品詳細 ・メーカー：Infineon Technologies・型番：IPB80N04S2-H4・製品カテゴリー：半導体・集積回路・製品種類：トランジスタ・商品タイプ：NチャネルパワーMOSFET・製品シリーズ：OptiMOS・チャンネル構成：シングル・極性：Nチャネル・動作モード：エンハンスメント型・ドレイン・ソース間電圧：40V・連続ドレイン電流：80A（ケース温度25℃、VGS＝10V）・オン抵抗：最大3.7mΩ（表面実装版、VGS＝10V）・ゲート・ソース間電圧：±20V・総許容損失：300W（ケース温度25℃）・単発アバランシェエネルギー：660mJ・最大接合温度：175℃・車載規格：AEC-Q101対応・パッケージ形式：TO-263（D2PAK、PG-TO263-3-2）・端子数：3ピン・実装方式：表面実装