【NチャネルパワーMOSFET】FMY46N60S1FDA

富士電機製の600V・46A NチャネルSuper J MOSパワーMOSFETです。 高速ダイオード（FRED）を内蔵したSuper J MOS S1FDシリーズの製品で、高耐圧と低オン抵抗を両立したパワー半導体です。最大600Vのドレイン・ソース間電圧に対応し、連続ドレイン電流は46A、パルスドレイン電流は138Aと大電力用途に対応した仕様になっています。 オン抵抗は最大82mΩと低く、VGS=10Vで駆動した際の導通損失を抑えやすい構成です。また、高速ダイオードを内蔵しており、MOSFETのスイッチング動作に伴う逆回復特性が重要となる電源変換回路やインバータ回路などに適しています。 自動車用Super J MOS S1FDシリーズとして、一般車載用途向けの品質保証に対応し、AEC-Q101準拠品として設計されています。車載電源、モーター制御、インバータなど、高い耐圧と大電流処理能力が求められる用途で使用できます。 TO-247の大型パワーパッケージを採用しており、高い電力を扱う回路での放熱を考慮した実装に適しています。パワーMOSFETとしての高耐圧・大電流特性と、内蔵高速ダイオードを組み合わせた構成が特徴です。 商品詳細 ・メーカー：富士電機株式会社・型番：FMY46N60S1FDA・シリーズ：Super J MOS S1FD・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：MOSFET・商品タイプ：NチャネルパワーMOSFET／高速ダイオード内蔵タイプ・チャンネル数：1・極性：Nチャネル・ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：600V・連続ドレイン電流（ID）：46A・パルスドレイン電流（IDP）：138A・オン抵抗（RDS(on)）：最大0.082Ω・RDS(on)測定条件：VGS=10V・ゲート・ソース間電圧（VGS）：±30V・ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：4.0±1V・総ゲート電荷量（Qg）：125nC（代表値）・内蔵ダイオード：高速ダイオード（FRED）・逆回復時間（trr）：210ns（代表値）・許容損失（PD）：390W（TC=25℃）・パッケージ：TO-247・端子数：3・実装方式：スルーホール・質量：約6.4g・車載規格：AEC-Q101準拠・RoHS：対応品として取り扱い可能なシリーズ