【NチャネルパワーMOSFET】CSD17578Q3A

Texas Instruments製の30V NチャネルNexFETパワーMOSFETです。 低オン抵抗と低ゲート電荷を両立したパワーMOSFETで、電源変換回路やDC-DCコンバータなど、スイッチング時の電力損失を抑えたい用途に適しています。ロジックレベル駆動に対応しており、ゲート電圧4.5Vでも最大9.4mΩの低オン抵抗を実現しています。 ゲート電荷も比較的小さく、代表値7.9nCのQg、1.7nCのQgdを備えているため、高速スイッチングを必要とする電源回路にも適しています。低RDS(on)による導通損失の低減と、低ゲート電荷によるスイッチング損失の低減を両立し、電源回路の高効率化に貢献する設計です。 小型の3.3mm × 3.3mm VSONPパッケージを採用しているため、実装面積を抑えながら電源スイッチング回路を構成できます。露出サーマルパッドを備えており、基板へ適切に接続することで放熱性と機械的強度を確保できます。 商品詳細 ・メーカー：Texas Instruments・型番：CSD17578Q3A・シリーズ：NexFET・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：MOSFET・商品タイプ：NチャネルパワーMOSFET・構成：シングル・チャンネル数：1・極性：Nチャネル・ドレイン・ソース間電圧（VDS）：30V・ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V・連続ドレイン電流：20A（パッケージ制限、TA=25℃）・シリコンでの電流定格：54A（TC=25℃）・RDS(on)：最大7.3mΩ（VGS=10V、ID=10A）・RDS(on)：最大9.4mΩ（VGS=4.5V）・ゲートしきい値電圧：代表値1.5V・総ゲート電荷（Qg）：代表値7.9nC・ゲート-ドレイン電荷（Qgd）：代表値1.7nC・ゲート-ソース電荷（Qgs）：代表値3.3nC・ロジックレベル：対応・アバランシェ定格：対応・動作接合部温度範囲：-55～+150℃・パッケージ：VSONP（DNH）・ピン数：8ピン・パッケージサイズ：約3.3mm × 3.3mm・実装方式：表面実装（SMD）・RoHS：準拠・ハロゲンフリー：対応