【NチャネルパワーMOSFET】BSC046N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

【NチャネルパワーMOSFET】BSC046N10NS3GATMA1

型番/Part Number: nチャネルパワーmosfet-bsc046n10ns3gatma1

環境規制 (RoHS) 適合品
Infineon Technologies製のNチャネルパワーMOSFETです。OptiMOS™ 3シリーズに属する100V耐圧のパワーMOSFETで、最大4.6mΩの低オン抵抗により、電力損失を抑えた高効率なスイッチング回路を構成できます。10Vゲート駆動時のゲート電荷は63nCで、低いRDS(on)と良好なスイッチング特性を両立しており、電源変換回路や高効率SMPSなどの用途に適しています。最大100Aのドレイン電流に対応し、SuperSO8の小型パッケージによって高電力密度の基板設計にも適しています。高効率な電源回路、DC-DCコンバータ、同期整流、モータ駆動など、比較的大きな電流を扱うスイッチング用途に使用されるパワーMOSFETです。 商品詳細 メーカー：Infineon Technologies シリーズ：OptiMOS™ 3 製品タイプ：NチャネルパワーMOSFET 構造：Nチャネル・エンハンスメント型MOSFET ドレイン・ソース間耐圧（VDS）：100V 連続ドレイン電流（ID）：17A（TA＝25℃） 連続ドレイン電流（ID）：100A（TC＝25℃） パルスドレイン電流（ID,puls）：最大400A ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：最大4.6mΩ（VGS＝10V、ID＝50A） ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：2～3.5V ゲートしきい値電圧（代表値）：約2.7V ゲート電荷（Qg）：63nC（VGS＝10V） 入力容量（Ciss）：4500pF（代表値、VDS＝50V） 出力容量（Coss）：790pF（代表値） 帰還容量（Crss）：30pF（代表値） 最大許容損失（Ptot）：156W（TC＝25℃） 熱抵抗（Rth）：0.8K/W ターンオン遅延時間（td(on)）：約16ns 立上り時間（tr）：約14ns 立下り時間（tf）：約11ns 動作接合温度範囲：−55～＋150℃ パッケージ：PG-TDSON-8-7 パッケージ形状：SuperSO8 / 8-PowerTDFN 実装方式：表面実装（SMD） シリーズ特長：低RDS(on)、低ゲート電荷、高効率スイッチング 用途例：SMPS、DC-DCコンバータ、同期整流、電源管理、高電流スイッチング回路など...
半導体

技術仕様・スペック

メーカー / ブランド Infineon Technologies
製品カテゴリ NチャネルパワーMOSFET
梱包仕様 リール / トレイ (見積依頼時に指定可能)
環境規制 (RoHS) 適合品 (Compliant)

この製品について

Infineon Technologies製のNチャネルパワーMOSFETです。
OptiMOS™ 3シリーズに属する100V耐圧のパワーMOSFETで、最大4.6mΩの低オン抵抗により、電力損失を抑えた高効率なスイッチング回路を構成できます。
10Vゲート駆動時のゲート電荷は63nCで、低いRDS(on)と良好なスイッチング特性を両立しており、電源変換回路や高効率SMPSなどの用途に適しています。
最大100Aのドレイン電流に対応し、SuperSO8の小型パッケージによって高電力密度の基板設計にも適しています。
高効率な電源回路、DC-DCコンバータ、同期整流、モータ駆動など、比較的大きな電流を扱うスイッチング用途に使用されるパワーMOSFETです。

商品詳細

  • メーカー：Infineon Technologies
  • シリーズ：OptiMOS™ 3
  • 製品タイプ：NチャネルパワーMOSFET
  • 構造：Nチャネル・エンハンスメント型MOSFET
  • ドレイン・ソース間耐圧（VDS）：100V
  • 連続ドレイン電流（ID）：17A（TA＝25℃）
  • 連続ドレイン電流（ID）：100A（TC＝25℃）
  • パルスドレイン電流（ID,puls）：最大400A
  • ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：最大4.6mΩ（VGS＝10V、ID＝50A）
  • ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V
  • ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：2～3.5V
  • ゲートしきい値電圧（代表値）：約2.7V
  • ゲート電荷（Qg）：63nC（VGS＝10V）
  • 入力容量（Ciss）：4500pF（代表値、VDS＝50V）
  • 出力容量（Coss）：790pF（代表値）
  • 帰還容量（Crss）：30pF（代表値）
  • 最大許容損失（Ptot）：156W（TC＝25℃）
  • 熱抵抗（Rth）：0.8K/W
  • ターンオン遅延時間（td(on)）：約16ns
  • 立上り時間（tr）：約14ns
  • 立下り時間（tf）：約11ns
  • 動作接合温度範囲：−55～＋150℃
  • パッケージ：PG-TDSON-8-7
  • パッケージ形状：SuperSO8 / 8-PowerTDFN
  • 実装方式：表面実装（SMD）
  • シリーズ特長：低RDS(on)、低ゲート電荷、高効率スイッチング
  • 用途例：SMPS、DC-DCコンバータ、同期整流、電源管理、高電流スイッチング回路など