【NチャネルNexFETパワーMOSFET】CSD17585F5

Texas Instruments製の30V NチャネルNexFET™パワーMOSFETです。 最大30Vのドレイン・ソース間電圧に対応し、4.5V駆動時のオン抵抗は最大33mΩ、10V駆動時は最大27mΩと低抵抗に設計されています。最大5.9Aのドレイン電流に対応し、低電圧の電源回路や電力スイッチング用途に適しています。 ゲート電荷が小さく、4.5V駆動時の総ゲート電荷は代表値1.9nCとされているため、高速スイッチング時のゲート駆動損失を抑えやすい構成です。また、ゲートにESD保護機能を内蔵しています。 PICOSTARの超小型パッケージを採用しており、外形は約1.49mm×0.73mm、厚さ約0.36mmです。基板面積を抑える必要がある携帯機器や小型電源回路などに適しています。 商品詳細 ・メーカー：Texas Instruments・型番：CSD17585F5・製品カテゴリー：半導体・製品種類：MOSFET・商品タイプ：NチャネルNexFET™パワーMOSFET・極性：Nチャネル・ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：30V・ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V・連続ドレイン電流（ID）：5.9A（TC=25℃、パッケージ制限値）・オン抵抗（RDS(on)）：最大33mΩ（VGS=4.5V）・オン抵抗（RDS(on)）：最大27mΩ（VGS=10V）・ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：0.9～1.7V・総ゲート電荷量（Qg）：1.9nC（代表値、VGS=4.5V）・ゲート・ドレイン電荷量（Qgd）：0.39nC（代表値）・入力容量（Ciss）：最大380pF・出力容量（Coss）：最大215pF・逆伝達容量（Crss）：最大7.4pF・ボディダイオード順方向電圧：最大1.0V（ID=0.9A）・動作接合部温度：-55～+150℃・ESD保護：ゲートESD保護機能内蔵・パッケージ：PICOSTAR（YJK）・パッケージサイズ：約1.49×0.73mm・ピン数：3ピン・実装方式：表面実装・RoHS：対応・REACH：対応