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【NチャネルMOSFET】FDMS0312AS
型番/Part Number: nチャネルmosfet-fdms0312as
環境規制 (RoHS) 適合品
30V耐圧・大電流対応のNチャネルMOSFETで、低オン抵抗と高効率スイッチング特性を備えたパワー半導体です。SyncFET™技術と最適化されたパッケージ構造により、電力変換時の損失低減と高い熱特性を実現しています。
DC-DCコンバータやCPU/GPU電源、ポイントオブロード（POL）電源などの同期整流用途に適しており、産業機器・通信機器・車載機器など幅広い分野で使用されています。
商品詳細
メーカー：onsemi（旧 Fairchild Semiconductor系）
型番：FDMS0312AS
品名：NチャネルMOSFET
カテゴリ：半導体／トランジスタ／パワーMOSFET
ドレイン・ソース電圧（Vds）：30V
連続ドレイン電流：最大22A（条件により変動）
オン抵抗（Rds(on)）：最大約5mΩ（@Vgs=10V）
ゲート駆動電圧：4.5V / 10V
パッケージ：8-PQFN（5×6mm）
実装方式：表面実装（SMD）
動作温度範囲：-55℃～150℃
用途：
DC-DCコンバータ
同期整流回路
CPU / GPU電源
POL（Point of Load）電源
通信機器・産業機器電源
20+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
30V耐圧・大電流対応のNチャネルMOSFETで、低オン抵抗と高効率スイッチング特性を備えたパワー半導体です。SyncFET™技術と最適化されたパッケージ構造により、電力変換時の損失低減と高い熱特性を実現しています。
DC-DCコンバータやCPU/GPU電源、ポイントオブロード（POL）電源などの同期整流用途に適しており、産業機器・通信機器・車載機器など幅広い分野で使用されています。
商品詳細
- メーカー：onsemi（旧 Fairchild Semiconductor系）
- 型番：FDMS0312AS
- 品名：NチャネルMOSFET
- カテゴリ：半導体／トランジスタ／パワーMOSFET
- ドレイン・ソース電圧（Vds）：30V
- 連続ドレイン電流：最大22A（条件により変動）
- オン抵抗（Rds(on)）：最大約5mΩ（@Vgs=10V）
- ゲート駆動電圧：4.5V / 10V
- パッケージ：8-PQFN（5×6mm）
- 実装方式：表面実装（SMD）
- 動作温度範囲：-55℃～150℃
- 用途：
- DC-DCコンバータ
- 同期整流回路
- CPU / GPU電源
- POL（Point of Load）電源
- 通信機器・産業機器電源