【Nチャネル・エンハンスメント型MOSFET】2N7002W

onsemi製のNチャネル・エンハンスメント型MOSFETです。ドレイン・ソース間耐圧60V、最大ドレイン電流310mAに対応する小信号MOSFETで、低オン抵抗と高速スイッチング特性を備えています。SC-70（SOT-323）の小型表面実装パッケージを採用しています。 低サイドスイッチ、レベルシフト、DC-DCコンバータ、携帯機器などのスイッチング用途に使用できます。onsemi版はAEC-Q101認定にも対応しています。 商品詳細 型番：2N7002W メーカー：onsemi 製品カテゴリー：トランジスタ 製品種類：MOSFET 商品タイプ：Nチャネル・エンハンスメント型MOSFET 用途分類：スイッチング・信号制御 チャネル：Nチャネル 回路数：1回路 ドレイン・ソース間耐圧（VDS）：60V ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V ドレイン電流（ID）：310mA（TA=25℃、定常時） パルスドレイン電流（IDM）：1.4A オン抵抗（RDS(on)）：最大1.6Ω（VGS=10V） オン抵抗（RDS(on)）：最大2.5Ω（VGS=4.5V） ゲートしきい値電圧：最大2V ゲート電荷（Qg）：約0.7nC 入力容量：約24.5pF 最大消費電力：280mW 動作接合温度：-55～+150℃ パッケージ：SC-70（SOT-323） ピン数：3ピン 実装方式：SMD（表面実装） 車載規格：AEC-Q101 包装：テープ＆リール 主な用途：低サイドスイッチ、レベルシフト、DC-DCコンバータ、電源制御、携帯機器、各種電子機器