【Nチャネル小信号MOSFET】2N7002LT1G

onsemi

【Nチャネル小信号MOSFET】2N7002LT1G

型番/Part Number: nチャネル小信号mosfet-2n7002lt1g

環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製のNチャネル小信号MOSFETです。最大ドレイン・ソース間電圧60V、連続ドレイン電流115mAに対応し、低電力のスイッチングや信号制御用途に適したデバイスです。ゲートしきい値電圧は最大2.5Vで、5Vおよび10Vのゲート駆動条件におけるオン抵抗が規定されています。小型のSOT-23パッケージを採用しているため、基板上の実装面積を抑えながらMOSFETによるスイッチング機能を構成できます。デジタル回路の信号スイッチ、負荷制御、レベル変換、各種小電力スイッチング回路などに使用される汎用的なMOSFETです。 商品詳細 メーカー：onsemi 製品タイプ：NチャネルMOSFET 用途：小信号スイッチング、負荷制御 構造：MOSFET（Metal Oxide Semiconductor FET） チャネル数：1チャネル ドレイン・ソース間耐圧（VDSS）：60V 連続ドレイン電流（ID）：115mA（TC＝25℃） 連続ドレイン電流（ID）：75mA（TC＝100℃） パルスドレイン電流（IDM）：800mA ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V 非反復ゲート・ソース間電圧：±40V（tp≤50µs） ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：最大2.5V（ID＝250µA） ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：最大7.5Ω（ID＝500mA、VGS＝10V） 入力容量（Ciss）：最大50pF（VDS＝25V） 最大許容損失：225mW（TA＝25℃、FR-5基板） 最大許容損失：300mW（TA＝25℃、アルミナ基板） 動作・保存温度範囲：−55～＋150℃ 実装方式：表面実装（SMD） パッケージ：SOT-23 パッケージコード：TO-236 / Case 318 端子数：3ピン 環境対応：Pb-Free、RoHS対応 用途例：小電力スイッチ、デジタル信号制御、負荷スイッチング、汎用スイッチング回路
半導体

技術仕様・スペック

メーカー / ブランド onsemi
製品カテゴリ Nチャネル小信号MOSFET
梱包仕様 リール / トレイ (見積依頼時に指定可能)
環境規制 (RoHS) 適合品 (Compliant)

この製品について

onsemi製のNチャネル小信号MOSFETです。
最大ドレイン・ソース間電圧60V、連続ドレイン電流115mAに対応し、低電力のスイッチングや信号制御用途に適したデバイスです。
ゲートしきい値電圧は最大2.5Vで、5Vおよび10Vのゲート駆動条件におけるオン抵抗が規定されています。
小型のSOT-23パッケージを採用しているため、基板上の実装面積を抑えながらMOSFETによるスイッチング機能を構成できます。
デジタル回路の信号スイッチ、負荷制御、レベル変換、各種小電力スイッチング回路などに使用される汎用的なMOSFETです。

商品詳細

  • メーカー：onsemi
  • 製品タイプ：NチャネルMOSFET
  • 用途：小信号スイッチング、負荷制御
  • 構造：MOSFET（Metal Oxide Semiconductor FET）
  • チャネル数：1チャネル
  • ドレイン・ソース間耐圧（VDSS）：60V
  • 連続ドレイン電流（ID）：115mA（TC＝25℃）
  • 連続ドレイン電流（ID）：75mA（TC＝100℃）
  • パルスドレイン電流（IDM）：800mA
  • ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V
  • 非反復ゲート・ソース間電圧：±40V（tp≤50µs）
  • ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：最大2.5V（ID＝250µA）
  • ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：最大7.5Ω（ID＝500mA、VGS＝10V）
  • 入力容量（Ciss）：最大50pF（VDS＝25V）
  • 最大許容損失：225mW（TA＝25℃、FR-5基板）
  • 最大許容損失：300mW（TA＝25℃、アルミナ基板）
  • 動作・保存温度範囲：−55～＋150℃
  • 実装方式：表面実装（SMD）
  • パッケージ：SOT-23
  • パッケージコード：TO-236 / Case 318
  • 端子数：3ピン
  • 環境対応：Pb-Free、RoHS対応
  • 用途例：小電力スイッチ、デジタル信号制御、負荷スイッチング、汎用スイッチング回路