【NチャネルパワーMOSFET】VND3NV04TR-E

STMicroelectronics製の自己保護機能を内蔵したNチャネルパワーMOSFETです。VIPower技術を採用したOMNIFET IIシリーズの製品で、通常のパワーMOSFETに代わるスイッチング素子として使用できます。最大40Vの電圧に対応し、最大3.5Aの電流制限機能を備えているため、電源制御や負荷駆動などの回路に適しています。 過電流や短絡、過熱などから素子を保護する機能に加え、過電圧クランプ回路を内蔵しています。また、入力端子の電圧を監視することで故障状態を検出でき、外部回路との連携にも対応します。DPAKパッケージを採用した表面実装タイプで、車載電子機器や各種電源・負荷制御回路に使用されるパワー半導体です。 商品詳細 ・メーカー：STMicroelectronics・型番：VND3NV04TR-E・製品カテゴリー：パワー半導体・製品種類：自己保護型パワーMOSFET・商品タイプ：OMNIFET II Nチャネルパワースイッチ・シリーズ：OMNIFET II／VIPower・トランジスタ極性：Nチャネル・ドレイン・ソース間耐圧：40V・オン抵抗：最大120mΩ・電流制限値：代表値3.5A・最大負荷電流：3.5A（規定条件による）・対応スイッチング周波数：最大50kHz・保護機能：過電流保護、短絡保護、過熱保護、過電圧クランプ・診断機能：入力端子電圧による故障フィードバック・入力電流：低消費電流設計・動作温度範囲：-40～+150℃（仕様・条件による）・パッケージ形式：DPAK（TO-252）・実装方式：表面実装・車載用途：対応・供給形態：テープ＆リール・RoHS対応：Ecopack1