
Vishay Siliconix
【NチャネルパワーMOSFET】SIHL540S-GE3
型番/Part Number: SIHL540S-GE3
環境規制 (RoHS) 適合品
Vishay製のNチャネル型パワーMOSFETです。ドレイン・ソース間電圧100Vに対応し、電源回路や負荷スイッチング回路、モーター制御回路などの電力制御用途に使用されます。MOSFETのスイッチング動作を利用して電流のオン・オフを制御し、各種電子機器の電力変換や負荷駆動を支えます。
D²PAK(TO-263)表面実装パッケージを採用しており、基板への実装に対応しています。電源管理回路や産業機器、電子制御装置など、電力を扱うさまざまな回路で使用されるディスクリート半導体です。Nチャネル構造により、ゲート電圧によるドレイン電流の制御が可能です。
商品詳細
・メーカー:Vishay・型番:SIHL540S-GE3・製品カテゴリー:トランジスタ・製品種類:パワーMOSFET・商品タイプ:NチャネルMOSFET・構成:シングル・ドレイン・ソース間電圧:100V・連続ドレイン電流:28A(ケース温度25℃)・連続ドレイン電流:20A(ケース温度100℃)・パルスドレイン電流:110A・ゲート・ソース間電圧:±10V・ゲートしきい値電圧:最大4V・オン抵抗:77mΩ(VGS=5V、代表値)・最大許容損失:150W(ケース温度25℃)・動作接合温度範囲:−55~+175℃・実装方式:表面実装・パッケージ:D²PAK・パッケージ規格:TO-263・端子数:3・鉛フリー対応
技術仕様・スペック
この製品について
Vishay製のNチャネル型パワーMOSFETです。ドレイン・ソース間電圧100Vに対応し、電源回路や負荷スイッチング回路、モーター制御回路などの電力制御用途に使用されます。MOSFETのスイッチング動作を利用して電流のオン・オフを制御し、各種電子機器の電力変換や負荷駆動を支えます。
D²PAK(TO-263)表面実装パッケージを採用しており、基板への実装に対応しています。電源管理回路や産業機器、電子制御装置など、電力を扱うさまざまな回路で使用されるディスクリート半導体です。Nチャネル構造により、ゲート電圧によるドレイン電流の制御が可能です。
商品詳細
・メーカー:Vishay
・型番:SIHL540S-GE3
・製品カテゴリー:トランジスタ
・製品種類:パワーMOSFET
・商品タイプ:NチャネルMOSFET
・構成:シングル
・ドレイン・ソース間電圧:100V
・連続ドレイン電流:28A(ケース温度25℃)
・連続ドレイン電流:20A(ケース温度100℃)
・パルスドレイン電流:110A
・ゲート・ソース間電圧:±10V
・ゲートしきい値電圧:最大4V
・オン抵抗:77mΩ(VGS=5V、代表値)
・最大許容損失:150W(ケース温度25℃)
・動作接合温度範囲:−55~+175℃
・実装方式:表面実装
・パッケージ:D²PAK
・パッケージ規格:TO-263
・端子数:3
・鉛フリー対応