
Vishay Siliconix
【NチャネルパワーMOSFET】SI3476DV-T1-GE3
型番/Part Number: SI3476DV-T1-GE3
環境規制 (RoHS) 適合品
Vishay Siliconix製のNチャネルパワーMOSFETです。80Vのドレイン・ソース間電圧に対応し、電源ラインのスイッチングや負荷制御、DC/DCコンバータなどに使用されます。TrenchFET技術を採用し、低オン抵抗によって導通時の電力損失を抑える設計です。
ゲート駆動電圧4.5Vから使用でき、小型の6端子TSOPパッケージを採用しています。携帯型電子機器の電源制御やLEDバックライト、昇圧・降圧電源回路などに適した表面実装型MOSFETです。
商品詳細
・メーカー:Vishay Siliconix・型番:SI3476DV-T1-GE3・製品カテゴリー:トランジスタ・製品種類:パワーMOSFET・商品タイプ:NチャネルMOSFET・ドレイン・ソース間電圧:80V・連続ドレイン電流:4.6A(ケース温度25℃時)・オン抵抗:93mΩ(最大、VGS=10V)・ゲート・ソース間電圧:±20V・許容損失:2W(周囲温度25℃時)・動作温度範囲:−55~+150℃・パッケージ:TSOP-6
半導体
技術仕様・スペック
この製品について
Vishay Siliconix製のNチャネルパワーMOSFETです。80Vのドレイン・ソース間電圧に対応し、電源ラインのスイッチングや負荷制御、DC/DCコンバータなどに使用されます。TrenchFET技術を採用し、低オン抵抗によって導通時の電力損失を抑える設計です。
ゲート駆動電圧4.5Vから使用でき、小型の6端子TSOPパッケージを採用しています。携帯型電子機器の電源制御やLEDバックライト、昇圧・降圧電源回路などに適した表面実装型MOSFETです。
商品詳細
・メーカー:Vishay Siliconix
・型番:SI3476DV-T1-GE3
・製品カテゴリー:トランジスタ
・製品種類:パワーMOSFET
・商品タイプ:NチャネルMOSFET
・ドレイン・ソース間電圧:80V
・連続ドレイン電流:4.6A(ケース温度25℃時)
・オン抵抗:93mΩ(最大、VGS=10V)
・ゲート・ソース間電圧:±20V
・許容損失:2W(周囲温度25℃時)
・動作温度範囲:−55~+150℃
・パッケージ:TSOP-6