ROHM Semiconductor
【NチャネルパワーMOSFET】R6004PND3FRATL
型番/Part Number: nチャネルパワーmosfet-r6004pnd3fratl
環境規制 (RoHS) 適合品
ROHM製のNチャネルパワーMOSFETです。600Vの耐圧と4Aのドレイン電流に対応し、スイッチング電源や各種電力制御回路に適しています。低オン抵抗と高速スイッチング特性を備え、電力損失の低減と高効率化に貢献します。また、AEC-Q101に準拠しており、車載用途にも対応可能です。TO-252（DPAK）表面実装パッケージを採用しています。
商品詳細
メーカー：ROHM
型番：R6004PND3FRATL
製品種類：Nチャネル パワーMOSFET
ドレイン・ソース間電圧（VDS）：600V
連続ドレイン電流（ID）：4A
オン抵抗（RDS(on)）：最大1.8Ω（VGS=10V）
パッケージ：TO-252（DPAK）
実装方式：表面実装（SMD）
許容損失：65W
ゲート・ソース間電圧：±25V
動作温度（接合部）：最大150℃
AEC-Q101準拠（車載対応）
RoHS対応
主な用途：スイッチング電源、DC-DCコンバータ、産業機器、車載電子機器など
22+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
ROHM製のNチャネルパワーMOSFETです。600Vの耐圧と4Aのドレイン電流に対応し、スイッチング電源や各種電力制御回路に適しています。低オン抵抗と高速スイッチング特性を備え、電力損失の低減と高効率化に貢献します。また、AEC-Q101に準拠しており、車載用途にも対応可能です。TO-252（DPAK）表面実装パッケージを採用しています。
商品詳細
- メーカー：ROHM
- 型番：R6004PND3FRATL
- 製品種類：Nチャネル パワーMOSFET
- ドレイン・ソース間電圧（VDS）：600V
- 連続ドレイン電流（ID）：4A
- オン抵抗（RDS(on)）：最大1.8Ω（VGS=10V）
- パッケージ：TO-252（DPAK）
- 実装方式：表面実装（SMD）
- 許容損失：65W
- ゲート・ソース間電圧：±25V
- 動作温度（接合部）：最大150℃
- AEC-Q101準拠（車載対応）
- RoHS対応
- 主な用途：スイッチング電源、DC-DCコンバータ、産業機器、車載電子機器など