【NチャネルパワーMOSFET】NTR4501NT1G

onsemi製のNチャネルパワーMOSFETです。 ドレイン・ソース間電圧20Vに対応した電圧駆動型の半導体スイッチング素子で、最大3.2Aの連続ドレイン電流に対応しています。オン抵抗が低く、ゲート駆動電圧2.5Vや4.5Vでの動作特性が規定されているため、低電圧の制御回路や電源スイッチング回路などに使用されます。DC-DCコンバータ、負荷スイッチ、バッテリー駆動機器の電源制御など、効率的な電力制御が求められる電子回路に適した製品です。 SOT-23パッケージを採用した3端子の表面実装部品で、小型電子機器や高密度実装基板に使用されます。ゲート端子への電圧印加によってドレイン・ソース間の導通を制御し、各種電子機器の電源管理や負荷制御を行います。 商品詳細 ・メーカー：onsemi・型番：NTR4501NT1G・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：MOSFET・商品タイプ：NチャネルパワーMOSFET・チャネル構成：シングル・ドレイン・ソース間電圧：20V・連続ドレイン電流：3.2A（周囲温度25℃時）・連続ドレイン電流：2.4A（周囲温度85℃時）・パルスドレイン電流：10A・オン抵抗：最大80mΩ（VGS=4.5V、ID=3.6A）・オン抵抗：最大105mΩ（VGS=2.5V、ID=3.1A）・ゲート・ソース間電圧：±12V・ゲートしきい値電圧：最大1.2V（ID=250µA時）・総ゲート電荷：最大6nC（VGS=4.5V時）・最大消費電力：1.25W（基板実装条件による）・動作接合温度範囲：-55～+150℃・パッケージ形式：SOT-23・端子数：3ピン・実装方式：表面実装