【NチャネルパワーMOSFET】IPD60R1K4C6

Infineon Technologies製のNチャネルパワーMOSFETです。CoolMOS™ C6シリーズに属する600V耐圧のスーパージャンクションMOSFETで、低オン抵抗と優れたスイッチング性能を兼ね備え、高効率な電力変換を実現します。 低スイッチング損失と優れた放熱性能により、スイッチング電源（SMPS）、PFC回路、AC-DCコンバータ、LED電源、産業用電源など、幅広い高電圧アプリケーションに適しています。また、高いアバランシェ耐量と優れた信頼性を備え、ソフトスイッチングおよびハードスイッチングの両方式に対応可能です。 DPAK（TO-252-3）表面実装パッケージを採用しており、省スペース設計と高効率化を両立した電源回路に最適なパワーMOSFETです。 商品詳細 型番：IPD60R1K4C6 メーカー：Infineon Technologies 製品種類：NチャネルパワーMOSFET 製品カテゴリー：パワーMOSFET シリーズ：CoolMOS™ C6 MOSFETタイプ：Nチャネル（スーパージャンクション） ドレイン・ソース間耐圧（VDS）：600V 連続ドレイン電流（ID）：3.2A オン抵抗（RDS(on)）：最大1.4Ω ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V 最大消費電力：28.4W パッケージ：PG-TO-252-3（DPAK） 実装方式：SMD（表面実装） 動作接合温度範囲：-55℃～150℃ 鉛フリー：対応 RoHS対応：対応 主な用途：スイッチング電源（SMPS）、PFC回路、AC-DCコンバータ、LED電源、産業用電源、アダプタ、通信機器