【NチャネルパワーMOSFET】FDMS86255ET150

onsemi

【NチャネルパワーMOSFET】FDMS86255ET150

型番/Part Number: nチャネルパワーmosfet-fdms86255et150

環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製の150V・低オン抵抗・高電流対応NチャネルパワーMOSFETです。Shielded Gate構造を採用したPowerTrench®シリーズの製品で、低いオン抵抗と優れたスイッチング性能を両立しています。最大63Aの連続ドレイン電流（ケース温度25℃時）に対応し、電力変換回路や高電流スイッチング用途に適しています。ボディダイオードにはソフトリカバリ特性を考慮した構造が採用されており、同期整流用途にも適しています。DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、ORing FET、同期整流などの電源回路で使用されるパワー半導体です。 商品詳細 メーカー：onsemi 旧メーカー：Fairchild Semiconductor 製品シリーズ：PowerTrench® 製品タイプ：NチャネルパワーMOSFET MOSFET構成：シングル チャネル：Nチャネル 駆動方式：エンハンスメント型 ドレイン・ソース間耐圧（VDSS）：150V ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V 連続ドレイン電流（ID）：63A（TC=25℃） 連続ドレイン電流（ID）：44A（TC=100℃） 連続ドレイン電流（ID）：10A（TA=25℃） パルスドレイン電流：276A オン抵抗（RDS(on)）：最大12.4mΩ（VGS=10V、ID=10A） オン抵抗（RDS(on)）：最大15.5mΩ（VGS=6V、ID=8A） ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：最大4V（ID=250µA） ゲート電荷（Qg）：最大63nC（VGS=10V） 入力容量（Ciss）：最大4480pF（VDS=75V） 単一パルスアバランシェエネルギー：541mJ 最大消費電力：136W（TC=25℃） 動作・保存接合温度：-55～+175℃ 熱抵抗（RθJC）：1.1℃/W パッケージ：Power 56 パッケージ形状：8-PowerTDFN / 8-PQFN パッケージサイズ：約5×6mm 実装方式：表面実装（SMD） RoHS：対応...
21+半導体

技術仕様・スペック

メーカー / ブランド onsemi
製品カテゴリ NチャネルパワーMOSFET
梱包仕様 リール / トレイ (見積依頼時に指定可能)
環境規制 (RoHS) 適合品 (Compliant)

この製品について

onsemi製の150V・低オン抵抗・高電流対応NチャネルパワーMOSFETです。
Shielded Gate構造を採用したPowerTrench®シリーズの製品で、低いオン抵抗と優れたスイッチング性能を両立しています。最大63Aの連続ドレイン電流（ケース温度25℃時）に対応し、電力変換回路や高電流スイッチング用途に適しています。
ボディダイオードにはソフトリカバリ特性を考慮した構造が採用されており、同期整流用途にも適しています。DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、ORing FET、同期整流などの電源回路で使用されるパワー半導体です。

商品詳細

  • メーカー：onsemi
  • 旧メーカー：Fairchild Semiconductor
  • 製品シリーズ：PowerTrench®
  • 製品タイプ：NチャネルパワーMOSFET
  • MOSFET構成：シングル
  • チャネル：Nチャネル
  • 駆動方式：エンハンスメント型
  • ドレイン・ソース間耐圧（VDSS）：150V
  • ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V
  • 連続ドレイン電流（ID）：63A（TC=25℃）
  • 連続ドレイン電流（ID）：44A（TC=100℃）
  • 連続ドレイン電流（ID）：10A（TA=25℃）
  • パルスドレイン電流：276A
  • オン抵抗（RDS(on)）：最大12.4mΩ（VGS=10V、ID=10A）
  • オン抵抗（RDS(on)）：最大15.5mΩ（VGS=6V、ID=8A）
  • ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：最大4V（ID=250µA）
  • ゲート電荷（Qg）：最大63nC（VGS=10V）
  • 入力容量（Ciss）：最大4480pF（VDS=75V）
  • 単一パルスアバランシェエネルギー：541mJ
  • 最大消費電力：136W（TC=25℃）
  • 動作・保存接合温度：-55～+175℃
  • 熱抵抗（RθJC）：1.1℃/W
  • パッケージ：Power 56
  • パッケージ形状：8-PowerTDFN / 8-PQFN
  • パッケージサイズ：約5×6mm
  • 実装方式：表面実装（SMD）
  • RoHS：対応
  • 主な用途：ORing FET、ロードスイッチ、同期整流、DC-DCコンバータ