【NチャネルパワーMOSFET】FDD6N50TM-F085

onsemi製の高耐圧NチャネルパワーMOSFETです。ドレイン・ソース間電圧500Vに対応し、電力変換回路やスイッチング電源など、高い耐圧性能が求められる電子回路に使用されます。ゲート電圧によって電流のオン・オフを制御する構造で、電源回路のスイッチング素子やアクティブ力率改善（PFC）回路などの用途に対応します。 オン抵抗はゲート・ソース間電圧10V、ドレイン電流3Aの条件で最大0.9Ωで、ゲート電荷を抑えた設計により高速スイッチングにも対応しています。また、アバランシェ耐量を備え、スイッチング時に発生する過渡的な電圧ストレスへの耐性も考慮されています。D-PAK（TO-252）パッケージを採用した表面実装タイプで、車載向け半導体の信頼性規格AEC-Q101にも適合しています。 商品詳細 ・メーカー：onsemi・型番：FDD6N50TM-F085・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：MOSFET・商品タイプ：Nチャネル高耐圧パワーMOSFET・チャネル極性：Nチャネル・ドレイン・ソース間電圧：500V・連続ドレイン電流：6A（ケース温度25℃）・連続ドレイン電流：3.8A（ケース温度100℃）・パルスドレイン電流：24A・オン抵抗：最大0.9Ω（VGS=10V、ID=3A）・ゲート・ソース間電圧：±30V・ゲートしきい値電圧：最大5V（ID=250µA）・総ゲート電荷：標準12.8nC・単発アバランシェエネルギー：270mJ・許容損失：89W（ケース温度25℃）・動作接合温度範囲：-55℃～+150℃・車載信頼性規格：AEC-Q101適合・実装方式：表面実装・パッケージ：D-PAK（TO-252）・供給形態：テープ＆リール