【NチャネルパワーMOSFET】BSZ097N04LSG

Infineon Technologies製の40V・低オン抵抗NチャネルパワーMOSFETです。 OptiMOS™ 3シリーズの製品で、低いオン抵抗と優れたスイッチング特性を備えたパワーMOSFETです。最大ドレイン・ソース間電圧は40V、連続ドレイン電流は最大47A（TC=25℃）に対応し、低電圧・大電流の電源回路に適しています。 オン抵抗は最大9.7mΩ（VGS=10V）と低く、導通損失を抑えやすい設計です。また、ロジックレベルMOSFETとして4.5V駆動時にも最大14.2mΩのオン抵抗に対応しており、低電圧で駆動するスイッチング回路にも使用できます。 PQFN系の小型パッケージを採用し、高い電力密度が求められる基板への実装に適しています。サーバーやデスクトップ向けのスイッチング電源、同期整流、DC-DCコンバータ、モーター制御など、低損失・高速スイッチングが求められる用途に使用できます。 商品詳細 ・メーカー：Infineon Technologies・型番：BSZ097N04LSG・製品カテゴリー：トランジスタ・部品の種類：パワーMOSFET・商品タイプ：Nチャネル・ロジックレベルパワーMOSFET・シリーズ：OptiMOS™ 3・チャネル数：1・極性：Nチャネル・ドレイン・ソース間電圧（VDS）：40V・連続ドレイン電流（ID）：47A（TC=25℃）・パルスドレイン電流（ID,pulse）：188A・オン抵抗（RDS(on)）：最大9.7mΩ（VGS=10V）・オン抵抗（RDS(on)）：最大14.2mΩ（VGS=4.5V）・ゲート・ソース間電圧（VGS）：±20V・ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：1.2～2.0V・総ゲート電荷量（Qg）：8.6nC（VGS=4.5V、代表値）・総ゲート電荷量（Qg）：18nC（VGS=10V、代表値）・入力容量（Ciss）：1400pF・出力容量（Coss）：340pF・許容損失（Ptot）：35W（TC=25℃）・熱抵抗（RthJC）：最大3.6K/W・動作接合温度範囲：-55～+150℃・パッケージ：PG-TSDSON-8（PQFN 3×3）・端子数：8ピン・実装方式：表面実装（SMD/SMT）・ロジックレベル：対応・RoHS：対応・ハロゲンフリー：対応