
ROHM Semiconductor
【4V駆動対応PチャネルMOSFET】CD74HCT238PWR
型番/Part Number: 4v駆動対応pチャネルmosfet-cd74hct238pwr
環境規制 (RoHS) 適合品技術仕様・スペック
この製品について
ROHM Semiconductor製の30V 4V駆動PチャネルMOSFETです。
低オン抵抗特性と4V駆動に対応したPチャネルMOSFETで、電源ラインのハイサイドスイッチ、ロードスイッチ、バッテリー駆動機器などの電源制御回路に適しています。30Vのドレイン・ソース間電圧に対応し、最大2.5Aの連続ドレイン電流を扱えるため、比較的低電圧の電源ラインを効率よくスイッチングする用途に使用できます。
4V駆動タイプとして設計されており、低いゲート駆動電圧でも使用しやすい点が特長です。オン抵抗は10V駆動時で最大98mΩとされ、MOSFETのオン状態における電力損失を抑えやすい構成になっています。ゲート電荷は最大5.4nCで、電源スイッチング回路のゲート駆動負荷を抑える用途にも適しています。
TSMT3の小型3端子表面実装パッケージを採用しているため、基板上の実装スペースを抑えたい電源回路にも適しています。また、ゲート保護ダイオードを内蔵していることも特徴の一つです。
商品詳細
・メーカー:ROHM Semiconductor
・型番:RSR025P03TL
・製品カテゴリー:トランジスタ
・製品種類:MOSFET
・商品タイプ:PチャネルMOSFET(4V駆動タイプ)
・チャンネル数:1
・極性:Pチャネル
・ドレイン・ソース間電圧(VDS):-30V
・ゲート・ソース間電圧(VGSS):±20V
・連続ドレイン電流(ID):-2.5A(Ta=25℃)
・パルスドレイン電流(IDP):-10A
・ボディダイオード電流(IS):-0.8A
・パルスボディダイオード電流(ISP):-10A
・最大許容損失(PD):1W
・RDS(on):最大98mΩ(ID=-2.5A、VGS=-10V)
・ゲート総電荷量(Qg):最大5.4nC(VGS=-5V)
・入力容量(Ciss):最大460pF(VDS=-10V)
・駆動電圧:4V対応
・動作接合部温度:150℃
・保存温度範囲:-55~+150℃
・パッケージ:TSMT3
・JEITAパッケージ:SC-96
・端子数:3
・パッケージサイズ:約2.9 × 1.9mm、厚さ最大1.0mm
・実装方式:表面実装(SMD)