【電圧レベル変換トランシーバ】FDS6930A

onsemi製のデュアルNチャネルパワーMOSFETです。2つのNチャネルMOSFETを1つのパッケージに集積しており、ドレイン・ソース間電圧30Vに対応しています。低オン抵抗設計により、通電時の電力損失を抑えながら電流のスイッチング制御を行います。 ロジックレベルのゲート駆動に対応し、低電圧電源回路やバッテリー駆動機器、負荷スイッチング回路などに使用されます。SOIC-8表面実装パッケージを採用しており、電源管理回路や各種電子機器の電力制御に使用される半導体部品です。2つのMOSFETを内蔵しているため、複数のスイッチング制御を必要とする回路にも対応します。 商品詳細 ・メーカー：onsemi・型番：FDS6930A・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：パワーMOSFET・商品タイプ：デュアルNチャネルパワーMOSFET・構成：2回路・ドレイン・ソース間電圧：30V・ゲート・ソース間電圧：±20V・連続ドレイン電流：5.5A・パルスドレイン電流：20A・オン抵抗：40mΩ（VGS＝10V）・オン抵抗：55mΩ（VGS＝4.5V）・ゲートしきい値電圧：1～3V・入力容量：460pF（代表値）・総ゲート電荷：5nC（代表値）・最大許容損失：2W・動作温度範囲：−55～＋150℃・実装方式：表面実装・パッケージ：SOIC-8・端子数：8・ゲート駆動方式：ロジックレベル・スイッチング特性：高速スイッチング