
ライトン(Lite-On)
【汎用シリコン整流ダイオード】S1MF
型番/Part Number: 汎用シリコン整流ダイオード-s1mf
環境規制 (RoHS) 適合品
LITE-ON製の表面実装型シリコン整流ダイオードです。最大1000Vの繰り返しピーク逆電圧と1Aの平均整流電流に対応し、AC-DC電源の整流、電源ラインの逆電圧防止、DC回路の整流など、幅広い一般電源用途に使用できます。ガラスパッシベーションされた半導体接合を採用することで、低い逆方向漏れ電流と安定した整流特性を実現する構成となっています。また、最大30Aの非繰り返しピーク順方向サージ電流に対応しており、電源投入時などに発生する一時的な大電流にも配慮されています。表面実装タイプのため自動実装に適しており、電源基板、アダプタ、各種電子機器の電源回路など、限られた基板スペースで整流機能を構成する用途に適した汎用パワーダイオードです。LITE-ONのS1M系は50~1000Vの電圧範囲を展開する表面実装ガラスパッシベーション整流ダイオードシリーズとして確認されています。
商品詳細
メーカー:LITE-ON Semiconductor
シリーズ:S1A~S1M系
製品タイプ:汎用シリコン整流ダイオード
ダイオード構成:単体(シングル)
半導体材料:シリコン
整流方式:一般整流
最大繰り返しピーク逆電圧(VRRM):1000V
最大直流逆電圧(VDC):1000V
最大RMS電圧(VRMS):700V
平均整流電流(IF(AV)):1.0A
非繰り返しピーク順方向サージ電流(IFSM):30A
最大順方向電圧(VF):1.1V(IF=1A)
逆方向漏れ電流(IR):最大5µA(定格逆電圧印加時、25℃)
高温時逆方向漏れ電流:最大50µA(定格逆電圧印加時、125℃)
接合容量(Cj):約15pF
接合温度範囲:−55~+150℃
保存温度範囲:−55~+150℃
構造:ガラスパッシベーション接合
実装方式:表面実装(SMD)
パッケージ:SMAF系
端子数:2
極性表示:カソード側にバンド表示
端子仕上げ:はんだ付け対応
RoHS:対応
特徴:低順方向電圧、低逆方向漏れ電流、高サージ耐量
主な用途:AC-DC整流、電源回路、アダプタ、DC電源ライン、逆電圧保護、一般整流回路など
12+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
LITE-ON製の表面実装型シリコン整流ダイオードです。
最大1000Vの繰り返しピーク逆電圧と1Aの平均整流電流に対応し、AC-DC電源の整流、電源ラインの逆電圧防止、DC回路の整流など、幅広い一般電源用途に使用できます。ガラスパッシベーションされた半導体接合を採用することで、低い逆方向漏れ電流と安定した整流特性を実現する構成となっています。また、最大30Aの非繰り返しピーク順方向サージ電流に対応しており、電源投入時などに発生する一時的な大電流にも配慮されています。表面実装タイプのため自動実装に適しており、電源基板、アダプタ、各種電子機器の電源回路など、限られた基板スペースで整流機能を構成する用途に適した汎用パワーダイオードです。LITE-ONのS1M系は50~1000Vの電圧範囲を展開する表面実装ガラスパッシベーション整流ダイオードシリーズとして確認されています。
商品詳細
- メーカー:LITE-ON Semiconductor
- シリーズ:S1A~S1M系
- 製品タイプ:汎用シリコン整流ダイオード
- ダイオード構成:単体(シングル)
- 半導体材料:シリコン
- 整流方式:一般整流
- 最大繰り返しピーク逆電圧(VRRM):1000V
- 最大直流逆電圧(VDC):1000V
- 最大RMS電圧(VRMS):700V
- 平均整流電流(IF(AV)):1.0A
- 非繰り返しピーク順方向サージ電流(IFSM):30A
- 最大順方向電圧(VF):1.1V(IF=1A)
- 逆方向漏れ電流(IR):最大5µA(定格逆電圧印加時、25℃)
- 高温時逆方向漏れ電流:最大50µA(定格逆電圧印加時、125℃)
- 接合容量(Cj):約15pF
- 接合温度範囲:−55~+150℃
- 保存温度範囲:−55~+150℃
- 構造:ガラスパッシベーション接合
- 実装方式:表面実装(SMD)
- パッケージ:SMAF系
- 端子数:2
- 極性表示:カソード側にバンド表示
- 端子仕上げ:はんだ付け対応
- RoHS:対応
- 特徴:低順方向電圧、低逆方向漏れ電流、高サージ耐量
- 主な用途:AC-DC整流、電源回路、アダプタ、DC電源ライン、逆電圧保護、一般整流回路など