
ROHM Semiconductor
【バイポーラトランジスタ】UMX2NFHATR
型番/Part Number: バイポーラトランジスタ-umx2nfhatr
環境規制 (RoHS) 適合品
ROHM Semiconductor製のNPN/PNPコンプリメンタリデュアルトランジスタです。1パッケージ内にNPNおよびPNPトランジスタを集積した構造により、信号処理回路の小型化と高密度実装を実現します。
スイッチングおよび増幅用途に適しており、アナログ・デジタル混在回路やポータブル機器、通信機器など幅広い電子機器で使用されます。高周波特性にも優れ、小型SOT-363パッケージにより基板スペースの削減にも貢献します。
■ 商品詳細
型番:UMX2NFHATR
メーカー:ROHM Semiconductor
製品カテゴリ:バイポーラトランジスタ(BJT)
分類:半導体
構成:NPN / PNP デュアルトランジスタ
パッケージ:SOT-363(SC-88系)
実装方式:表面実装(SMD)
コレクタ電圧:最大50V級
コレクタ電流:最大100mA級
用途:スイッチング回路、信号増幅、ロジックインターフェース、ポータブル機器
特徴:2素子内蔵、省スペース、高周波対応
動作温度範囲:-55℃ ~ +150℃
RoHS対応
22+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
ROHM Semiconductor製のNPN/PNPコンプリメンタリデュアルトランジスタです。1パッケージ内にNPNおよびPNPトランジスタを集積した構造により、信号処理回路の小型化と高密度実装を実現します。
スイッチングおよび増幅用途に適しており、アナログ・デジタル混在回路やポータブル機器、通信機器など幅広い電子機器で使用されます。高周波特性にも優れ、小型SOT-363パッケージにより基板スペースの削減にも貢献します。
■ 商品詳細
- 型番:UMX2NFHATR
- メーカー:ROHM Semiconductor
- 製品カテゴリ:バイポーラトランジスタ(BJT)
- 分類:半導体
- 構成:NPN / PNP デュアルトランジスタ
- パッケージ:SOT-363(SC-88系)
- 実装方式:表面実装(SMD)
- コレクタ電圧:最大50V級
- コレクタ電流:最大100mA級
- 用途:スイッチング回路、信号増幅、ロジックインターフェース、ポータブル機器
- 特徴:2素子内蔵、省スペース、高周波対応
- 動作温度範囲:-55℃ ~ +150℃
- RoHS対応