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【バイポーラトランジスタ】SBCP56-10T1G
型番/Part Number: バイポーラトランジスタ-sbcp56-10t1g
環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製のNPNバイポーラトランジスタです。高耐圧・中電流特性を備えた汎用スイッチングおよび増幅用途向けの半導体デバイスで、産業機器や民生機器の各種ドライバ回路に幅広く使用されています。
SOT-223パッケージを採用しており、放熱性に優れつつも基板実装に適したコンパクト設計となっています。電源回路周辺のスイッチング素子や信号増幅用途など、汎用性の高いトランジスタとして安定した動作を提供します。
■ 商品詳細
型番:SBCP56-10T1G
メーカー:onsemi(onsemi / ON Semiconductor)
製品カテゴリ:バイポーラトランジスタ(BJT)
トランジスタタイプ:NPN
コレクタ・エミッタ間電圧(Vce):80V
コレクタ電流(Ic):1A
パッケージ:SOT-223(TO-261)
実装方式:表面実装(SMD)
電力損失:最大約1.5W(条件依存)
用途:スイッチング回路、信号増幅、ドライバ回路、電源制御回路
特徴:高耐圧・中電流対応、放熱性パッケージ採用
動作温度範囲:-55℃ ~ +150℃
RoHS対応
22+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
onsemi製のNPNバイポーラトランジスタです。高耐圧・中電流特性を備えた汎用スイッチングおよび増幅用途向けの半導体デバイスで、産業機器や民生機器の各種ドライバ回路に幅広く使用されています。
SOT-223パッケージを採用しており、放熱性に優れつつも基板実装に適したコンパクト設計となっています。電源回路周辺のスイッチング素子や信号増幅用途など、汎用性の高いトランジスタとして安定した動作を提供します。
■ 商品詳細
- 型番:SBCP56-10T1G
- メーカー:onsemi(onsemi / ON Semiconductor)
- 製品カテゴリ:バイポーラトランジスタ(BJT)
- トランジスタタイプ:NPN
- コレクタ・エミッタ間電圧(Vce):80V
- コレクタ電流(Ic):1A
- パッケージ:SOT-223(TO-261)
- 実装方式:表面実装(SMD)
- 電力損失:最大約1.5W(条件依存)
- 用途:スイッチング回路、信号増幅、ドライバ回路、電源制御回路
- 特徴:高耐圧・中電流対応、放熱性パッケージ採用
- 動作温度範囲:-55℃ ~ +150℃
- RoHS対応