
onsemi
【デュアルPチャネルMOSFET】FDC6310P
型番/Part Number: FDC6310P
環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製のデュアルPチャネルMOSFETです。
2つのPチャネルMOSFETを1つの小型パッケージに集積した半導体スイッチング素子です。ドレイン・ソース間電圧は最大20V、連続ドレイン電流は最大2.2Aに対応しています。低いオン抵抗と小さなゲート電荷を特長とし、電源回路のスイッチングや負荷制御などに使用されます。
ゲート駆動電圧が比較的低い回路にも対応し、バッテリー保護回路、電源管理回路、ロードスイッチなどの用途に適した構成です。SuperSOT-6パッケージを採用した表面実装タイプで、実装スペースを抑えたい電子機器や各種制御回路に使用されます。
商品詳細
・メーカー:onsemi・型番:FDC6310P・製品カテゴリー:トランジスタ・製品種類:MOSFET・商品タイプ:デュアルPチャネルMOSFET・構成:2回路(Pチャネル)・ドレイン・ソース間電圧:-20V・連続ドレイン電流:-2.2A・パルスドレイン電流:-6A・オン抵抗:最大125mΩ(VGS=-4.5V、ID=-2.2A)・オン抵抗:最大190mΩ(VGS=-2.5V、ID=-1.8A)・ゲート・ソース間電圧:±12V・ゲートしきい値電圧:最大-1.5V・最大消費電力:700mW(条件による)・動作接合温度範囲:-55~+150℃・シリーズ:PowerTrench・パッケージ:SuperSOT-6・端子数:6ピン・実装方式:表面実装
14+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
onsemi製のデュアルPチャネルMOSFETです。
2つのPチャネルMOSFETを1つの小型パッケージに集積した半導体スイッチング素子です。ドレイン・ソース間電圧は最大20V、連続ドレイン電流は最大2.2Aに対応しています。低いオン抵抗と小さなゲート電荷を特長とし、電源回路のスイッチングや負荷制御などに使用されます。
ゲート駆動電圧が比較的低い回路にも対応し、バッテリー保護回路、電源管理回路、ロードスイッチなどの用途に適した構成です。SuperSOT-6パッケージを採用した表面実装タイプで、実装スペースを抑えたい電子機器や各種制御回路に使用されます。
商品詳細
・メーカー:onsemi
・型番:FDC6310P
・製品カテゴリー:トランジスタ
・製品種類:MOSFET
・商品タイプ:デュアルPチャネルMOSFET
・構成:2回路(Pチャネル)
・ドレイン・ソース間電圧:-20V
・連続ドレイン電流:-2.2A
・パルスドレイン電流:-6A
・オン抵抗:最大125mΩ(VGS=-4.5V、ID=-2.2A)
・オン抵抗:最大190mΩ(VGS=-2.5V、ID=-1.8A)
・ゲート・ソース間電圧:±12V
・ゲートしきい値電圧:最大-1.5V
・最大消費電力:700mW(条件による)
・動作接合温度範囲:-55~+150℃
・シリーズ:PowerTrench
・パッケージ:SuperSOT-6
・端子数:6ピン
・実装方式:表面実装