【デュアルNチャンネルMOSFET】IRF7101TRPBF

Infineon Technologies製のデュアルNチャンネルパワーMOSFETです。 1つのパッケージに2個のNチャンネルMOSFETを内蔵した電力スイッチング用半導体です。ドレイン・ソース間の定格電圧は20V、連続ドレイン電流は最大3.5Aに対応し、低オン抵抗と高速スイッチング特性を備えています。ゲート駆動電圧に応じて電流のオン・オフを制御でき、電源回路や負荷スイッチング回路などに使用されます。 SO-8パッケージを採用した表面実装タイプで、2つのMOSFETを限られた基板スペースに実装できる構成です。電源管理回路、DC-DCコンバータ、バッテリー駆動機器、各種電子機器のスイッチング回路などに用いられるディスクリート半導体です。 商品詳細 ・メーカー：Infineon Technologies・型番：IRF7101TRPBF・製品カテゴリー：ディスクリート半導体・製品種類：パワーMOSFET・商品タイプ：デュアルNチャンネルMOSFET・チャンネル数：2・ドレイン・ソース間電圧：20V・連続ドレイン電流：3.5A（25℃時）・オン抵抗：最大100mΩ（VGS＝10V、ID＝1.8A）・ゲートしきい値電圧：最大3V（ID＝250µA）・総ゲート電荷：15nC（VGS＝10V）・入力容量：320pF（VDS＝15V）・最大許容損失：2W・動作接合温度範囲：-55～+150℃・パッケージ形式：SO-8・端子数：8ピン・実装方式：表面実装