onsemi
【デュアルNチャネルMOSFET】FDC6303N
型番/Part Number: デュアルnチャネルmosfet-fdc6303n
環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製のデュアルNチャネル・ロジックレベルMOSFETです。2個のNチャネルMOSFETを1パッケージに内蔵し、3V系の低電圧ロジックから直接駆動しやすい低ゲート駆動設計を採用しています。25Vのドレイン・ソース間耐圧と、最大680mAの連続ドレイン電流に対応し、負荷スイッチングや電源管理などの用途に適しています。小型のSuperSOT™-6パッケージを採用しており、デジタルトランジスタの置き換えにも利用できます。
商品詳細
型番：FDC6303N
メーカー：onsemi
製品タイプ：デュアルNチャネルMOSFET
MOSFET構成：2回路・Nチャネル
動作モード：エンハンスメント型
ゲート駆動：ロジックレベル対応
ドレイン・ソース間電圧（VDS）：25V
連続ドレイン電流（ID）：680mA
パルスドレイン電流：2A
ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：最大450mΩ（VGS=4.5V、ID=500mA）
RDS(on)：最大600mΩ（VGS=2.7V、ID=200mA）
ゲートしきい値電圧：0.65～1.5V
ゲート・ソース間電圧：最大8V
入力容量（Ciss）：50pF（代表値）
ゲート電荷（Qg）：最大2.3nC（VGS=4.5V）
最大消費電力：700mW
動作温度範囲：-55℃～+150℃
取付方式：表面実装
パッケージ：SuperSOT™-6
ピン数：6ピン
用途：負荷スイッチング、電源管理、低電圧デジタル回路
半導体
技術仕様・スペック
この製品について
onsemi製のデュアルNチャネル・ロジックレベルMOSFETです。2個のNチャネルMOSFETを1パッケージに内蔵し、3V系の低電圧ロジックから直接駆動しやすい低ゲート駆動設計を採用しています。25Vのドレイン・ソース間耐圧と、最大680mAの連続ドレイン電流に対応し、負荷スイッチングや電源管理などの用途に適しています。小型のSuperSOT™-6パッケージを採用しており、デジタルトランジスタの置き換えにも利用できます。
商品詳細
- 型番：FDC6303N
- メーカー：onsemi
- 製品タイプ：デュアルNチャネルMOSFET
- MOSFET構成：2回路・Nチャネル
- 動作モード：エンハンスメント型
- ゲート駆動：ロジックレベル対応
- ドレイン・ソース間電圧（VDS）：25V
- 連続ドレイン電流（ID）：680mA
- パルスドレイン電流：2A
- ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：最大450mΩ（VGS=4.5V、ID=500mA）
- RDS(on)：最大600mΩ（VGS=2.7V、ID=200mA）
- ゲートしきい値電圧：0.65～1.5V
- ゲート・ソース間電圧：最大8V
- 入力容量（Ciss）：50pF（代表値）
- ゲート電荷（Qg）：最大2.3nC（VGS=4.5V）
- 最大消費電力：700mW
- 動作温度範囲：-55℃～+150℃
- 取付方式：表面実装
- パッケージ：SuperSOT™-6
- ピン数：6ピン
- 用途：負荷スイッチング、電源管理、低電圧デジタル回路