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【デジタルトランジスタ】MMUN2214LT1G
型番/Part Number: デジタルトランジスタ-mmun2214lt1g
環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製のNPNデジタルトランジスタ（バイアス抵抗内蔵トランジスタ）です。ベース入力抵抗とベース・エミッタ抵抗を内蔵しているため、外付け抵抗部品を削減でき、回路設計の簡素化や実装スペースの削減に貢献します。
小型SOT-23パッケージを採用し、各種制御回路、信号スイッチング、産業機器、家電製品、通信機器など幅広い用途に適しています。RoHS対応の鉛フリー製品です。
商品詳細
型番：MMUN2214LT1G
メーカー：onsemi
タイプ：NPNデジタルトランジスタ（バイアス抵抗内蔵）
パッケージ：SOT-23（TO-236）
実装方式：表面実装（SMD）
コレクタ・エミッタ間電圧（VCEO）：50V
最大連続コレクタ電流（IC）：100mA
入力抵抗（R1）：10kΩ
ベース・エミッタ抵抗（R2）：47kΩ
最大電力損失（Pd）：246mW
RoHS対応・鉛フリー
主な用途：制御回路、スイッチング回路、産業機器、家電製品、通信機器、各種電子機器
15+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
onsemi製のNPNデジタルトランジスタ（バイアス抵抗内蔵トランジスタ）です。ベース入力抵抗とベース・エミッタ抵抗を内蔵しているため、外付け抵抗部品を削減でき、回路設計の簡素化や実装スペースの削減に貢献します。
小型SOT-23パッケージを採用し、各種制御回路、信号スイッチング、産業機器、家電製品、通信機器など幅広い用途に適しています。RoHS対応の鉛フリー製品です。
商品詳細
- 型番：MMUN2214LT1G
- メーカー：onsemi
- タイプ：NPNデジタルトランジスタ（バイアス抵抗内蔵）
- パッケージ：SOT-23（TO-236）
- 実装方式：表面実装（SMD）
- コレクタ・エミッタ間電圧（VCEO）：50V
- 最大連続コレクタ電流（IC）：100mA
- 入力抵抗（R1）：10kΩ
- ベース・エミッタ抵抗（R2）：47kΩ
- 最大電力損失（Pd）：246mW
- RoHS対応・鉛フリー
- 主な用途：制御回路、スイッチング回路、産業機器、家電製品、通信機器、各種電子機器