onsemi
【デュアルPチャネルMOSFET】NTZD3152PT1G
型番/Part Number: デュアルpチャネルmosfet-ntzd3152pt1g
環境規制 (RoHS) 適合品
onsemi製のデュアルPチャネルMOSFETです。2個のPチャネルMOSFETを1パッケージに集積し、ドレイン・ソース間耐圧20V、最大連続ドレイン電流430mAに対応しています。ESD保護ゲートを備え、低オン抵抗による高効率なスイッチングを実現します。
SOT-563-6の小型表面実装パッケージを採用しているため、実装面積を抑えたい電源回路やロードスイッチ、バッテリーマネジメントなどに適しています。
商品詳細
型番：NTZD3152PT1G
メーカー：onsemi
製品カテゴリー：トランジスタ
製品種類：MOSFET
商品タイプ：デュアルPチャネルMOSFET
用途分類：スイッチング・電源制御・ロードスイッチ
チャネル：Pチャネル
回路数：2回路
ドレイン・ソース間耐圧（VDS）：-20V
ゲート・ソース間電圧（VGS）：±6V
連続ドレイン電流（ID）：-430mA（25℃）
パルスドレイン電流（IDM）：-750mA
オン抵抗（RDS(on)）：標準0.5Ω（VGS=-4.5V）
オン抵抗（RDS(on)）：標準0.6Ω（VGS=-2.5V）
オン抵抗（RDS(on)）：標準1.0Ω（VGS=-1.8V）
ゲートしきい値電圧：最大-1V
ゲート電荷（Qg）：約2.5nC
入力容量（Ciss）：最大175pF
最大消費電力：250mW
ESD保護：ゲート保護対応
動作接合温度範囲：-55～+150℃
パッケージ：SOT-563-6
ピン数：6ピン
外形寸法：約1.6 × 1.6mm
実装方式：SMD（表面実装）
包装：テープ＆リール
標準包装数量：4,000個
RoHS：対応
主な用途：ロードスイッチ、電源コンバータ、バッテリーマネジメント、電源制御、携帯機器、デジタルカメラ、各種電子機器
22+半導体
技術仕様・スペック
この製品について
onsemi製のデュアルPチャネルMOSFETです。2個のPチャネルMOSFETを1パッケージに集積し、ドレイン・ソース間耐圧20V、最大連続ドレイン電流430mAに対応しています。ESD保護ゲートを備え、低オン抵抗による高効率なスイッチングを実現します。
SOT-563-6の小型表面実装パッケージを採用しているため、実装面積を抑えたい電源回路やロードスイッチ、バッテリーマネジメントなどに適しています。
商品詳細
- 型番：NTZD3152PT1G
- メーカー：onsemi
- 製品カテゴリー：トランジスタ
- 製品種類：MOSFET
- 商品タイプ：デュアルPチャネルMOSFET
- 用途分類：スイッチング・電源制御・ロードスイッチ
- チャネル：Pチャネル
- 回路数：2回路
- ドレイン・ソース間耐圧（VDS）：-20V
- ゲート・ソース間電圧（VGS）：±6V
- 連続ドレイン電流（ID）：-430mA（25℃）
- パルスドレイン電流（IDM）：-750mA
- オン抵抗（RDS(on)）：標準0.5Ω（VGS=-4.5V）
- オン抵抗（RDS(on)）：標準0.6Ω（VGS=-2.5V）
- オン抵抗（RDS(on)）：標準1.0Ω（VGS=-1.8V）
- ゲートしきい値電圧：最大-1V
- ゲート電荷（Qg）：約2.5nC
- 入力容量（Ciss）：最大175pF
- 最大消費電力：250mW
- ESD保護：ゲート保護対応
- 動作接合温度範囲：-55～+150℃
- パッケージ：SOT-563-6
- ピン数：6ピン
- 外形寸法：約1.6 × 1.6mm
- 実装方式：SMD（表面実装）
- 包装：テープ＆リール
- 標準包装数量：4,000個
- RoHS：対応
- 主な用途：ロードスイッチ、電源コンバータ、バッテリーマネジメント、電源制御、携帯機器、デジタルカメラ、各種電子機器