【デュアルPチャネルMOSFET】MMDF2P02ER2

onsemi製のデュアルPチャネルパワーMOSFETです。1つのパッケージに2つのPチャネルMOSFETを内蔵しており、複数の電源ラインや負荷を効率よく制御できます。ドレイン・ソース間電圧は最大25V、連続ドレイン電流は最大2.5Aに対応し、低電圧の高速スイッチング回路や電源管理回路などに使用されます。 低オン抵抗とロジックレベルのゲート駆動に対応し、導通損失を抑えながら制御回路からスイッチング動作を行える設計です。また、アバランシェ耐量が規定されており、誘導性負荷を扱う回路にも利用できます。SO-8パッケージを採用した表面実装タイプで、DC-DCコンバータ、携帯機器の電源制御、モーター制御などに適した半導体部品です。 商品詳細 ・メーカー：onsemi・型番：MMDF2P02ER2・製品カテゴリー：トランジスタ・製品種類：パワーMOSFET・商品タイプ：デュアルPチャネルMOSFET・素子構成：PチャネルMOSFET×2・ドレイン・ソース間電圧：25V・連続ドレイン電流：2.5A（周囲温度25℃、規定条件下）・連続ドレイン電流：1.7A（周囲温度100℃、規定条件下）・パルスドレイン電流：13A・ゲート・ソース間電圧：±20V・オン抵抗：最大250mΩ（VGS＝10V、ID＝2A時）・ゲートしきい値電圧：最大3V（ID＝250µA時）・総ゲート電荷量：最大15nC（VGS＝10V時）・最大許容損失：2W（周囲温度25℃、規定条件下）・動作接合部温度範囲：-55℃～150℃・パッケージ：SO-8・ピン数：8・実装方式：表面実装・供給形態：テープ＆リール