【デュアルNチャネルMOSFET】DMN65D8LDW-7

Diodes Incorporated製のデュアルNチャネルMOSFETです。 60Vのドレイン・ソース間耐圧に対応し、2つのNチャネルMOSFETを1パッケージに集積しています。低いゲートしきい値電圧と小さな入力容量を備え、スイッチング用途に適した構成です。 SOT-363の小型面実装パッケージを採用しており、DC-DCコンバータや電源管理、バッテリー駆動機器など、省スペース性が求められる回路に使用できます。 商品詳細 ・メーカー：Diodes Incorporated・製品タイプ：MOSFET・構成：デュアルNチャネル・チャンネル数：2チャンネル・動作モード：Nチャネル・エンハンスメント型・ドレイン・ソース間電圧：60V・連続ドレイン電流：200mA（25℃）・RDS(on)：最大6Ω（VGS=10V）・RDS(on)：最大8Ω（VGS=5V）・ゲート・ソース間電圧：±20V・ゲートしきい値電圧：最大2V・ゲートチャージ：0.87nC typ.（VGS=10V）・入力容量：22pF typ.（VDS=25V）・最大消費電力：400mW（25℃）・動作温度範囲：-55～+150℃・取り付け方式：表面実装・パッケージ：SOT-363・ピン数：6ピン・ESD保護：1kV HBM・RoHS：対応