【デュアルNチャネルMOSFET】CSD87381P

Texas Instruments

【デュアルNチャネルMOSFET】CSD87381P

型番/Part Number: デュアルnチャネルmosfet-csd87381p

環境規制 (RoHS) 適合品
Texas Instruments製の同期降圧(Buck)コンバータ向けNexFET™パワーブロックです。ハイサイド・ローサイドの2つのNチャネルMOSFETを1パッケージに集積したハーフブリッジ構成を採用し、高効率・高電流・省スペースな電源回路を実現します。 30Vのドレイン・ソース間電圧、最大15Aの連続電流に対応し、DC-DCコンバータ、POL(Point of Load)電源、産業機器、通信機器、コンピューティング機器などの高効率電源用途に最適です。RoHS対応の表面実装製品です。 商品詳細 型番:CSD87381P メーカー:Texas Instruments 品種:NexFET™ パワーブロック(デュアルNチャネルMOSFET) 構成:ハーフブリッジ(High Side + Low Side) ドレイン・ソース間電圧(VDSS):30V 連続ドレイン電流(ID):15A ゲート・ソース間電圧(VGS):±10V パッケージ:5-Pin LGA(3.0mm × 2.5mm) 実装方式:表面実装(SMD) 動作温度範囲:-55℃~+150℃ 特長:低オン抵抗、高効率、高密度実装、同期整流降圧コンバータ向け RoHS対応 主な用途:DC-DCコンバータ、POL電源、産業機器、通信機器、サーバー、コンピューティング機器
21+半導体

技術仕様・スペック

メーカー / ブランド Texas Instruments
製品カテゴリ デュアルNチャネルMOSFET
梱包仕様 リール / トレイ (見積依頼時に指定可能)
環境規制 (RoHS) 適合品 (Compliant)

この製品について

Texas Instruments製の同期降圧(Buck)コンバータ向けNexFET™パワーブロックです。ハイサイド・ローサイドの2つのNチャネルMOSFETを1パッケージに集積したハーフブリッジ構成を採用し、高効率・高電流・省スペースな電源回路を実現します。

30Vのドレイン・ソース間電圧、最大15Aの連続電流に対応し、DC-DCコンバータ、POL(Point of Load)電源、産業機器、通信機器、コンピューティング機器などの高効率電源用途に最適です。RoHS対応の表面実装製品です。


商品詳細

  • 型番:CSD87381P
  • メーカー:Texas Instruments
  • 品種:NexFET™ パワーブロック(デュアルNチャネルMOSFET)
  • 構成:ハーフブリッジ(High Side + Low Side)
  • ドレイン・ソース間電圧(VDSS):30V
  • 連続ドレイン電流(ID):15A
  • ゲート・ソース間電圧(VGS):±10V
  • パッケージ:5-Pin LGA(3.0mm × 2.5mm)
  • 実装方式:表面実装(SMD)
  • 動作温度範囲:-55℃~+150℃
  • 特長:低オン抵抗、高効率、高密度実装、同期整流降圧コンバータ向け
  • RoHS対応
  • 主な用途:DC-DCコンバータ、POL電源、産業機器、通信機器、サーバー、コンピューティング機器